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多晶硅薄膜低溫生長中的表面反應控制
摘要： 報道用SiF4和H2的間接微波等離子體化學氣相沉積方法低溫生長多晶硅(poly-Si)薄膜.實驗發現,等離子體中的離子、荷電集團對薄膜生長表面的轟擊是影響薄膜結晶質量的...
更新時間：2013-03-14星級：大小：252KB -
微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法沉積氟化非晶碳薄膜的研究
使用三氟甲烷和苯的混合氣體,利用微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法制備了F/C比在0.11—0.62之間的α-C∶F薄膜.
更新時間：2013-03-14星級：大?。?36KB -
介質諧振器法測量高溫超導薄膜微波表面電阻的誤差分析
用微擾法研究了兩端接地型藍寶石介質諧振器測量高溫超導薄膜微波表面電阻RS的誤差與幾何結構和工作頻率的關系.
更新時間：2013-03-14星級：大?。?57KB -
電流變液的微波透射調控行為
依據外電場作用下電流變液結構由各向同性轉變為各向異性及介電性能改變的實驗事實,建立了微波穿透電流變液樣品的理論模型,導出了微波透射率的基本表達形式.
更新時間：2013-03-13星級：大?。?34KB -
微波等離子體化學氣相沉積法制備C3N4薄膜的結構研究
采用微波等離子體化學氣相沉積法,用高純氮氣(99.999%)和甲烷(99.9%)作反應氣體,在單晶Si(100)基片上沉積C3N4薄膜.
更新時間：2013-03-13星級：大小：215KB -
GaAs/AlGaAs異質結動力學行為研究
建立在空間電荷轉移框架下,考慮GaAs/AlGaAs異質結物理模型,推導相應動力學方程,比較詳細地分析了系統隨激勵電場變化出現的復雜分支情況.
更新時間：2013-03-13星級：大?。?34KB -
p型半導體金剛石膜的磁阻效應
在p型硅(100)襯底上,采用襯底負偏壓微波等離子體CVD方法進行了p型異質外延金剛石膜的生長.用O2等離子體刻蝕技術將金剛石膜刻蝕成長條形,利用四探針法在0—5T的磁場范圍內...
更新時間：2013-03-13星級：大?。?66KB -
微波輸入功率引起a-C∶F薄膜交聯結構的增強
使用C2H2和CHF3的混合氣體,在改變微波功率的條件下,利用微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積方法制備了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里葉變換紅外光譜分析結果表...
更新時間：2013-03-13星級：大小：221KB -
氟化非晶碳薄膜的光學帶隙分析
研究了CHF3C6H6沉積的氟化非晶碳(αC∶F)薄膜的光學帶隙.發現αC∶F薄膜光學帶隙的大小取決于薄膜中C—F,CC的相對含量.
更新時間：2013-03-12星級：大?。?67KB
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