物理學報  2001, Vol. 50  Issue (8): 1616-1622

王萬錄1, 廖克俊1, 王蜀霞1, 方亮1, 孔春陽2, 馬勇3
(1)重慶大學理學院應(yīng)用物理系,重慶400044; (2)重慶大學理學院應(yīng)用物理系,重慶400044;重慶師范學院物理系,重慶400047; (3)重慶師范學院物理系,重慶400047
THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS
WANG WAN-LU1, LIAO KE-JUN1, WANG SHU-XIA1, FANG LIANG1, KONG GHUN-YANG2, MA YONG3

摘要： 在p型硅(100)襯底上,采用襯底負偏壓微波等離子體CVD方法進行了p型異質(zhì)外延金剛石膜的生長.用O2等離子體刻蝕技術(shù)將金剛石膜刻蝕成長條形,利用四探針法在0—5T的磁場范圍內(nèi)測量了樣品的磁阻.實驗結(jié)果表明,p型異質(zhì)外延金剛石膜可以產(chǎn)生較大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理論的基礎(chǔ)上考慮晶格散射、雜質(zhì)散射和表面散射,通過求解Boltzmann方程,利用并聯(lián)電阻模型研究了p型異質(zhì)外延金剛石膜的磁阻效應(yīng),給出了磁阻和金剛石膜厚度、遷移率、空穴密度及磁場的關(guān)系.討論了表面散射和價帶形變對p型異質(zhì)外延金剛石膜磁阻的影響,初步解釋了p型異質(zhì)外延金剛石膜產(chǎn)生較大磁阻的原因

引用本文:   
孔春陽,王萬錄,廖克俊 等 . p型半導體金剛石膜的磁阻效應(yīng). 物理學報, 2001, 50(8): 1622. 
Cite this article:   
KONG GHUN-YANG,WANG WAN-LU,LIAO KE-JUN et al. THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(8): 1616-1622. 

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