物理學報  2001, Vol. 50  Issue (4): 784-789

葉超, 寧兆元, 程珊華, 康健
蘇州大學物理系,蘇州215006
STUDY ON α-C∶F FILMS DEPOSITED BY ELECTRON CYCLOTRONRESONANCE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
YE CHAO, NING ZHAO-YUAN, CHENG SHAN-HUA, KANG JIAN

摘要： 使用三氟甲烷和苯的混合氣體,利用微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法制備了F/C比在0.11—0.62之間的α-C∶F薄膜.研究了微波功率對薄膜沉積和結(jié)構(gòu)的影響,發(fā)現(xiàn)微波功率的升高提高了薄膜的沉積速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基團的密度,而使CF2基團的密度保持不變.在高微波功率下可以獲得主要由CF2基團和C=C結(jié)構(gòu)組成的α-C∶F薄膜.薄膜的介電頻率關(guān)系(1×103—1×106Hz)和損耗頻率關(guān)系(1×102—1×105Hz)均呈指數(shù)規(guī)律減小,是缺陷中心間簡單隧穿引起的跳躍導電所致.α-C∶F薄膜的介電極化主要來源于電子極化

引用本文:   
葉超,寧兆元,程珊華 等 . 微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法沉積氟化非晶碳薄膜的研究. 物理學報, 2001, 50(4): 789. 
Cite this article:   
YE CHAO,NING ZHAO-YUAN,CHENG SHAN-HUA et al. STUDY ON α-C∶F FILMS DEPOSITED BY ELECTRON CYCLOTRONRESONANCE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION. Acta Phys. Sin., 2001, 50(4): 784-789. 

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