物理學報  2001, Vol. 50  Issue (12): 2492-2496

陸新華1, 辛煜2, 寧兆元2, 甘肇強2, 方亮2, 程珊華2
(1)蘇州大學化學系,蘇州215006; (2)蘇州大學物理系,蘇州215006
INFRARED ANALYSIS OF BOND CONFIGURATION FOR THE a-C∶F∶H FILMS DEPOSITED AT VARIABLE CHF3/CH4 FLOW RATIOS
LU XIN-HUA1, XIN YU2, NING ZHAO-YUAN2, GAN ZHAO-QIANG2, FANG LIANG2, CHENG SHAN-HUA2

摘要： 通過微波電子回旋共振等離子體化學氣相沉積方法使用CH4/CHF3源氣體制備a-C∶F∶H薄膜.紅外結果表明,a-C∶F∶H薄膜隨著流量比R=[CHF3]/[CHF3]+[CH4])的變化存在結構上的演變,R<64%時,薄膜主要是以類金剛石(DLC)特征的結構為主;當R>64%時,薄膜表現為一個類聚四氟乙烯(PTFE)的結構,結構單體主要為CF2.同時這種結構上的變化影響著薄膜

引用本文:   
辛煜,寧兆元,甘肇強 等 . 不同CHF3/CH4流量比下沉積a-C∶F∶H薄膜鍵結構的紅外分析. 物理學報, 2001, 50(12): 2496. 
Cite this article:   
XIN YU,NING ZHAO-YUAN,GAN ZHAO-QIANG et al. INFRARED ANALYSIS OF BOND CONFIGURATION FOR THE a-C∶F∶H FILMS DEPOSITED AT VARIABLE CHF3/CH4 FLOW RATIOS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2492-2496. 

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