埃賦隆半導體（Ampleon）近日推出了第十代（Gen10）大功率非對稱高效率射頻功率（RF Power）系列解決方案，旨在為全球無線基礎設施設備制造商提供射頻功率產品，將性能、小型化及性價比提升至新的高度。

Gen10是埃賦隆半導體推出的新一代RF LDMOS產品，目的是通過實施全面的技術革新實現顯著的性能提升，這些技術可以提供更高的功率密度、更高的增益、更高的級聯效率、更寬的信號帶寬以及更好的成本效益。第十代大功率非對稱高效率射頻功率系列解決方案主要特點有：

· 針對高功率，高效率非對稱Doherty架構應用而設計，能滿足基站（室內宏站和分布式基站）和直放站大功率功放的需求；
· 單器件實現高效率高功率非對稱Doherty架構；
· P3dB: 240W--550W，頻率從1.8GHz--2.7GHz；
· 第二代集成無源器件的使用（“T”版本器件），保證了Gen10 射頻功率器件所支持的信號帶寬，能滿足4G頻譜各工作頻帶內信號任配要求，從而滿足4G/5G基站中對超寬帶信號的需求；
· 純銅法蘭的空腔塑封，使器件保證了性能的同時，還對熱阻和成本都有了很好的提升。

目前已發布器件有:

BLC10G18XS-360AVT   P3>56.0dBm, Gai>17.0dB, Eff>52% @8dBBO, SOT539
BLC10G18XS-550AVT   P3>57.5dBm,Gai>17.0dB, Eff>50% @8dB BO, SOT539
BLC10G20LS-240PWT   P3>55.5dBm,Gai>17.0dB, Eff>48% @8dB BO, SOT502
BLC10G22LS-240PVT   P3>55.5dBm, Gai>17.0dB, Eff>46%@8dB BO, SOT502
BLC10G27LS-320AVT   P3>55.5dBm, Gai>16.5dB, Eff>48% @8dBBO, SOT539