借此擴(kuò)展無隔離器的6GHz以下產(chǎn)品線

埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）利用先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)，推出了B11G3338N80D推挽式3級(jí)全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅(qū)動(dòng)器系列的載體產(chǎn)品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實(shí)現(xiàn)下一代大功率和具有市場(chǎng)領(lǐng)先效率的宏基站。

該驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列采用PQFN 12×7mm²封裝，集成了主路和輔路器件、輸入功分器、輸出功率合成器和每個(gè)部分的預(yù)匹配。器件的推挽式配置無需級(jí)間隔離器，集成的前置和后置匹配可實(shí)現(xiàn)50Ω的輸入阻抗和25Ω的輸出阻抗。

B11G3338N80D的集成度顯著簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程，降低了BOM成本并確保了可靠性和體積一致性。面向6GHz以下頻段的小尺寸引腳對(duì)引腳兼容封裝，最大限度地減少了版圖設(shè)計(jì)工作，這對(duì)于當(dāng)今空間受限的應(yīng)用至關(guān)重要。

Doherty晶體管通常可在12dB功率回退時(shí)提供22%的漏極效率，并在引用的測(cè)試條件下提供34dB的功率增益。此外，該設(shè)計(jì)還集成了ESD保護(hù)和偏置柵極開關(guān)。

該產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)，以及應(yīng)用筆記和參考版圖設(shè)計(jì)，可在Ampleon網(wǎng)站的B11G3338N80D頁面上找到。

關(guān)于埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）

埃賦隆半導(dǎo)體創(chuàng)立于2015年，在射頻功率領(lǐng)域擁有50年的領(lǐng)導(dǎo)地位。本公司通過基于先進(jìn)LDMOS和GaN技術(shù)的高頻應(yīng)用創(chuàng)新，讓世界變得更美好。埃賦隆半導(dǎo)體在全球擁有超過1,600名員工，致力通過密切的合作伙伴關(guān)系、創(chuàng)新和出色的執(zhí)行，使客戶能夠成功地使用射頻電源產(chǎn)品。其創(chuàng)新而又一致的產(chǎn)品組合，4G LTE和5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、廣播、航空航天和國防應(yīng)用。欲了解更多有關(guān)該射頻功率領(lǐng)域全球領(lǐng)先合作伙伴的詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問 www.ampleon.com。