Cree（科瑞公司）發布第二代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），與同等成本的硅器件相比，可以使系統的效率更高、尺寸更小。與該公司上一代MOSFET相比，新一代1200V MOSFET的成本降低一半。如此高的性價比可為原始設備制造商（OEM）節省系統成本，而且該產品尺寸小、重量輕，可使終端用戶提高效率、降低安裝成本。

“我們已經評估了太陽能電路中使用的科瑞公司第二代SiC MOSFET。”德國弗勞恩霍夫研究所的著名行業專家布魯諾·伯格表示，“該SiC MOSFET具有最高的效率，可使系統以更高的開關頻率運行，系統因此可以選用較小的無源元件，特別是電感器。這大幅提高了太陽能逆變器的性價比，并能支撐更小、更輕、更有效的系統。”

“基于新的MOSFET平臺，我們設計了多個領域的產品。”科瑞公司功率與射頻部的總經理欽吉斯·巴爾卡斯表示，“由于第二代SiC MOSFET很快被接受，我們正提前把預生產時的產品運交給幾個客戶，同時我們也在提高生產線產能。”

在一些高功率應用領域，這些性能優越的新型SiC MOSFET可使所需的額定電流減少50～70%。對于太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）來說，在效率提高的同時，尺寸和重量也大為減少；在電機驅動領域，與硅基方案相比，其功率密度和最大扭矩增加一倍以上。其產品范圍廣泛，甚至包括針對30kW以上高功率電源模塊市場的25兆歐（mOhm）器件。