提供碳化硅上氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT）和單片微波集成電路（MMIC）的美國(guó)Cree公司，在班加羅爾12月15–19日舉行的2015國(guó)際印度雷達(dá)研討會(huì)（IRSI-15）上，將展示用于L、S、C、X波段雷達(dá)的氮化鎵射頻器件。

創(chuàng)建于1983年，恢復(fù)于1999年作為每2年一次的會(huì)議，IRSI技術(shù)會(huì)議匯集最尖端的技術(shù)和專題報(bào)告，除了雷達(dá)信號(hào)和陣列處理、跟蹤和數(shù)據(jù)處理，以及圖像和氣象雷達(dá)外，會(huì)議內(nèi)容還包括：雷達(dá)系統(tǒng)、接收機(jī)、天線、陣列、控制器、處理器、軟件、設(shè)備、部件，發(fā)射機(jī)、建模和仿真。IRSI展覽展示了子系統(tǒng)產(chǎn)品、模型、圖片、模塊和多媒體演示。

在C-28 展位上，將展出用于L、S、C、X波段雷達(dá)的氮化鎵射頻器件。這包括CMPA801B025 X波段GaN MMIC功率放大器（額定功率為25W，操作頻率8.5–11.0 GHz）用于脈沖雷達(dá)和寬帶連續(xù)應(yīng)用，其特點(diǎn)是37W典型POUT，功率增益16dB，功率附加效率（PAE）為35%。IRSI會(huì)展將給Cree公司提供一個(gè)寶貴機(jī)會(huì)，介紹先進(jìn)氮化鎵射頻器件，世界級(jí)設(shè)計(jì)輔助、驗(yàn)證的制造工藝和測(cè)試，以及國(guó)際客戶支持服務(wù)以影響美國(guó)雷達(dá)行業(yè)的成員。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所  黃慶紅）