提供碳化硅上氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT）和單片微波集成電路（MMIC）的美國Cree公司，在班加羅爾12月15–19日舉行的2015國際印度雷達研討會（IRSI-15）上，將展示用于L、S、C、X波段雷達的氮化鎵射頻器件。

創(chuàng)建于1983年，恢復于1999年作為每2年一次的會議，IRSI技術(shù)會議匯集最尖端的技術(shù)和專題報告，除了雷達信號和陣列處理、跟蹤和數(shù)據(jù)處理，以及圖像和氣象雷達外，會議內(nèi)容還包括：雷達系統(tǒng)、接收機、天線、陣列、控制器、處理器、軟件、設(shè)備、部件，發(fā)射機、建模和仿真。IRSI展覽展示了子系統(tǒng)產(chǎn)品、模型、圖片、模塊和多媒體演示。

在C-28 展位上，將展出用于L、S、C、X波段雷達的氮化鎵射頻器件。這包括CMPA801B025 X波段GaN MMIC功率放大器（額定功率為25W，操作頻率8.5–11.0 GHz）用于脈沖雷達和寬帶連續(xù)應用，其特點是37W典型POUT，功率增益16dB，功率附加效率（PAE）為35%。IRSI會展將給Cree公司提供一個寶貴機會，介紹先進氮化鎵射頻器件，世界級設(shè)計輔助、驗證的制造工藝和測試，以及國際客戶支持服務以影響美國雷達行業(yè)的成員。（工業(yè)和信息化部電子科學技術(shù)情報研究所  黃慶紅）