日前，中科院微電子研究所在阻變存儲器與大生產CMOS工藝集成研究上取得進展。

阻變存儲器（RRAM）是近些年興起的新型不揮發存儲技術，具有單元尺寸小、速度快、功耗低、工藝及器件結構簡單和可嵌入功能強等優點，是國際上公認的32nm節點以下主流存儲器技術的有力競爭者之一。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）劉明研究員帶領的RRAM團隊已在該領域開展了多年的研究，以與CMOS工藝兼容的二元金屬氧化物材料為基礎，在材料優化、機理研究、可微縮性研究、可靠性研究、小陣列原型芯片設計、測試方法學研究等方面取得了處于國內領先地位、具有一定國際影響力的系列成果。

2012年，在國家科技重大專項子課題“32nm RRAM關鍵工藝和技術”的支持下，RRAM研發團隊在SMIC生產線上完成RRAM外圍電路的流片工作，在實驗室環境中成功開發了1kb RRAM陣列與外圍電路芯片的集成工藝。這種集成方案一方面采用了大工藝生產平臺，為企業的生產研發提供前期技術儲備；另一方面兼顧了實驗室靈活多樣的特點，可以不受CMOS工藝上材料種類的限制，開展新材料、新結構器件的研究，為產學研合作模式的進一步展開奠定了良好的基礎。

該科研團隊的研究成果也受到國際同行的廣泛關注，分別和美國的VSEA公司和Adesto公司等簽署了合作開發協議。

左：(a) RRAM存儲陣列測試系統；(b) 機臺級測試針卡實物圖；(c) PCB板控制電路部分。
右： (a) 探針卡下RRAM 1kb芯片實物圖；(b) 陣列中寫入的“IME”字樣位圖。