日前，經過微電子所微波器件與集成電路研究室（四室）科研人員的不懈努力，研制成功多款新型振蕩器和分頻器。
K波段注鎖振蕩器、Ka波段壓控振蕩器
四室HBT小組采用1um GaAs HBT工藝成功研制出K波段15GHz 注入鎖定振蕩器。該振蕩器利用注入信號的諧波鎖定工作于15GHz的振蕩核心，其電路照片如圖1所示。經測試，該電路可被2~20倍的偶次諧波鎖定，即最低可采用750MHz信號實現15GHz振蕩器鎖定。此振蕩器能夠方便的實現k波段鎖相，可用于該頻段系統頻率源。
圖1 K波段15GHz注入鎖定振蕩器電路
與此同時，科研人員采用1um GaAs HBT工藝研制成功工作于Ka波段的壓控振蕩器核心，電路及頻譜測試照片如圖2所示。
該振蕩器采用全分布諧振腔，調諧范圍為31.2GHz~32.2GHz，在32GHz時，相位噪聲優于-95dBc@1MHz offset，輸出功率高于0dBm。該振蕩器表明利用1um GaAs HBT工藝能夠實現Ka乃至更高頻率的振蕩電路，通過改進，有望用于Ka波段系統頻率源。
圖2 Ka波段壓控振蕩器及其輸出頻譜圖
DC～40GHz分頻器
HBT小組采用1um GaAs HBT工藝研制了一款DC～17GHz四分頻器芯片，該芯片可將DC～17GHz的輸入頻率進行4倍分頻，該芯片采用由兩級由ECL邏輯門構成的2分頻器構成，將輸入頻率分頻至DC～4.25GHz，其頻段已經處于商用鎖相環（PLL）芯片可處理的范圍內。該款分頻器是17GHz范圍內鎖相環路的前端芯片，應用十分廣泛。
圖3 DC-17GHz分頻器芯片照片和實際4分頻時輸出的頻譜圖
該小組還在研究室內部自主的化合物半導體工藝線上成功研制出基于InP DHBT工藝的2分頻器電路，其芯片照片與測試結果如圖4所示。
圖4 InP DHBT基二分頻器芯片照片和實測頻譜圖
分頻器采用fmax超過300GHz的InP基DHBT晶體管研制，該芯片是國內速度最高的分頻器電路。如果將GaAs基四分頻器與InP基二分頻器結合使用將使得PLL環路可以覆蓋DC～40GHz頻率范圍，這兩款分頻器是毫米波頻率源中的關鍵組成部分。
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