LAST POWER項(xiàng)目公布為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)性電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開(kāi)發(fā)成果讓歐洲躋身于世界高能效功率芯片研究商用的最前列。

歐洲納米電子行動(dòng)顧問(wèn)委員會(huì)（ENIAC）聯(lián)盟（JU）是納米工業(yè)上市公司與民營(yíng)企業(yè)的聯(lián)盟組織，于2010年4月啟動(dòng)了LAST POWER項(xiàng)目，聚集了寬能隙功率半導(dǎo)體組件（Wide Bandgap Power Semiconductor）（SiC和GaN）領(lǐng)域的民營(yíng)企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心。該聯(lián)盟成員包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體（意大利）、LPE/ETC （意大利）、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR（意大利）、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH（希臘） , NOVASiC（法國(guó)）、Consorzio Catania Ricerche -CCR（意大利）、Institute of High Pressure Physics – Unipress（波蘭）、 Universita della Calabria（意大利）、SiCrystal（德國(guó)）、SEPS Technologies（瑞典）、SenSiC（瑞典）、Acreo （瑞典）、Aristotle University of Thessaloniki - AUTH（希臘）。

碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的離軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC基板。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面，材料質(zhì)量與項(xiàng)目啟動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)100mm 4°離軸材料兼容。在LPE/ETC，這些基板用于中度摻雜的外延層的外延生長(zhǎng)，適用于加工600-1200V JBS（Junction Barrier Schottky）肖特基二極管和MOSFET，專案為在大面積（150mm）4H -SiC上生長(zhǎng)外延開(kāi)發(fā)了一個(gè)創(chuàng)新的化學(xué)氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition）反應(yīng)堆（reactor）。

外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)在線制造JBS肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進(jìn)的4°離軸材料相當(dāng)。在這種情況下，關(guān)鍵制程是在NOVASiC上實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP，chemical mechanical polishing） - StepSiC ® 填充和平坦化，對(duì)于外延層生長(zhǎng)前的基板制備和組件活動(dòng)層表面粗糙度亞納米控制，該制程是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。在這個(gè)項(xiàng)目?jī)?nèi)，同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長(zhǎng)能力。

項(xiàng)目與意法半導(dǎo)體、IMM-CNR公司進(jìn)行SiO2/SiC接口的合作研發(fā)，以改進(jìn)4H-SiC MOSFET的通道遷移率。

最后，項(xiàng)目與Acreo、FORTH合作開(kāi)發(fā)出了用于高溫4H-SiC JFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊，為可靠封裝解決方案封膠體化合物（molding compound）和無(wú)鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。

LAST POWER項(xiàng)目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN組件的研究。特別是意法半導(dǎo)體在150mm 硅基板上生長(zhǎng)AlGaN/GaN HEMT外延層結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)取得了成功，外延層長(zhǎng)至3µm，抗擊穿電壓能力高達(dá)200V。 LAST POWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導(dǎo)體合作，采用一種無(wú)金（Gold-Free）方法開(kāi)發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaN HEMT組件。該制程模塊與意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程完全兼容，目前正整合至HEMT生產(chǎn)線。項(xiàng)目成員在材料生長(zhǎng)和裝置技術(shù)方面已有相當(dāng)?shù)暮献骰?dòng)，讓業(yè)界向單芯片整合GaN和SiC組件的目標(biāo)邁出重要一步，這兩項(xiàng)技術(shù)在2°離軸4H-SiC基板上均取得成功。