物理學(xué)報(bào)  2001, Vol. 50  Issue (12): 2452-2455

胡穎
首都師范大學(xué)物理系,北京100037
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD
HU YING

摘要： 應(yīng)用微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法,在單晶Si(100)襯底上生長出SiC納米線.應(yīng)用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、能量損失譜(EDS)和選區(qū)電子衍射(SAD)等方法對(duì)納米線化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和表征.給出該納米線的生長機(jī)理

引用本文:   
胡穎. 微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法在Si襯底上生長SiC納米線. 物理學(xué)報(bào), 2001, 50(12): 2455. 
Cite this article:   
HU YING. SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2452-2455. 

溫馨提示：本站不提供資料文件下載，僅提供文件名稱查詢，如有疑問請(qǐng)聯(lián)系我們。