物理學(xué)報  2002, Vol. 51  Issue (6): 1383-1387

真空退火對氟化非晶碳薄膜結(jié)構(gòu)的影響
黃峰, 程珊華, 寧兆元, 楊慎東, 葉超
蘇州大學(xué)物理系,蘇州215006
 
Huang Feng, Cheng Shan-Hua, Ning Zhao-Yuan, Yang Shen-Dong, Ye Chao

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摘要： 在苯(C6H6)和四氟化碳(CF4)混合氣體中,用微波電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)(ECRCVD)在不同功率下制備了氟化非晶碳膜(aC:F),為了檢測膜的熱穩(wěn)定性對其進(jìn)行了真空退火處理,測量了退火前后膜厚的變化率,并用傅里葉變換紅外吸收光譜(FTIR)研究了其結(jié)構(gòu)的變化.結(jié)果表明,膜厚變化率與沉積功率有關(guān);400℃退火后低功率下沉積的膜的結(jié)構(gòu)變化顯著,高功率下沉積的膜則呈現(xiàn)了較好的熱穩(wěn)定性.
 
引用本文:   
黃峰,程珊華,寧兆元 等 . 真空退火對氟化非晶碳薄膜結(jié)構(gòu)的影響. 物理學(xué)報, 2002, 51(6): 1387. 
Cite this article:   
Huang Feng,Cheng Shan-Hua,Ning Zhao-Yuan et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(6): 1383-1387. 

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