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基于LTCC工藝的微型寬帶混頻器及其應用

低溫共燒陶瓷(LTCC)材料的出現，對高性能器件的小型化很大促進。該技術也是Mini-Circuits公司最新一系列寬帶、低成本混頻器的基礎。該系列...

發(fā)布時間：2012-02-24

關鍵詞：LTCC工藝，混頻器應用
針對ISM應用的混頻器充分發(fā)揮LTCC技術的優(yōu)勢

多數無線應用讓人想到800至 900 MHz和1800至2000MHz的蜂窩網絡頻段，但是數量不斷增加的無線應用開始使用非許可的工業(yè)-科學-醫(yī)學(ISM)頻...

發(fā)布時間：2012-02-24

關鍵詞：ISM混頻器，LTCC技術
基于壓控振蕩器（VCO）的高性能鎖相環(huán)（PLL）設

簡介“鎖相環(huán)”(PLL)是現代通信系統的基本構建模塊。PLL通常用在無線電接收機或發(fā)射機中，主要提供“本振”(LO)功能；也可用于時鐘信號分配...

發(fā)布時間：2012-02-23

關鍵詞：壓控振蕩器，鎖相環(huán)PLL
一種應用于車載系統的GPS接收機射頻前端的設計

1．引言 GPS（GLOBLE POSITIONING SYSTEM）是一種可以定時和測距的空間交會定點導航系統，它可以向全球用戶提供連續(xù)、實時、高精度的三...

發(fā)布時間：2012-02-21

關鍵詞：GPS接收機，射頻前端
高性能Sub-GHz無線芯片及應用方案介紹

當今世界，無線產品早已無處不在。在我們周圍分布著大量的無線產品和應用系統，如氣象站、汽車無鑰匙進入系統（RKE）、噴灌系統、照明系...

發(fā)布時間：2012-02-21

關鍵詞：Sub-GHz，無線芯片
LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右...

發(fā)布時間：2012-02-14

關鍵詞：LDMOS，制造工藝
SiC上沉積的GaN最新技術

為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻...

發(fā)布時間：2012-02-14

關鍵詞：SiC，GaN技術
LDMOS結構/優(yōu)點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發(fā)的，蜂窩通信市場的不...

發(fā)布時間：2012-02-14

關鍵詞：LDMOS
雙向功率放大器的設計方案解析

2.4G射頻雙向功放電路的設計與制作　　在兩個或多個網絡互連時，無線局域網的低功率與高頻率限制了其覆蓋范圍，為了擴大覆蓋范圍，可以引...

發(fā)布時間：2012-01-11

關鍵詞：功率放大器
基站接收器集成化的進展

面對移動電話數據業(yè)務需求量的持續(xù)攀升，基站設計人員被迫不斷地增加帶寬和降低成本。就安裝和運作旨在滿足增長需求的額外基站而言，影響...

發(fā)布時間：2012-01-11

關鍵詞：基站接收器

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