能訊半導(dǎo)體于近期完成了生產(chǎn)線擴(kuò)容項(xiàng)目，該項(xiàng)目總投資5億元，旨在將能訊4吋GaN晶圓制造線擴(kuò)容,并建設(shè)具有自動(dòng)封裝測(cè)試能力的生產(chǎn)線，為客戶提供充足的產(chǎn)能支持，助力5G網(wǎng)絡(luò)部署。

2019年，能訊半導(dǎo)體將陸續(xù)推出可量產(chǎn)的多款Sub-6GHz頻段、不同功率等級(jí)，適合5G通信基站應(yīng)用的系列產(chǎn)品, 包括陶瓷封裝功放管、塑封功放管及多芯片模塊（MCM）等等。

最近，公司完成了一款產(chǎn)品定型：D1H27260E1，工作頻率范圍2515-2675MHz，全頻段內(nèi)飽和功率達(dá)到260W。在平均輸出功率28W時(shí)，其線性增益為14.5dB，開環(huán)線性接近-30dBc，線性效率大于51.5%。

D1H27260E1采用非對(duì)稱Doherty架構(gòu)，工作電壓48V，封裝形式為陶瓷780-4。其更高的效率減少了電路板上的功率損失，有效的改善了系統(tǒng)的熱性能，適合5G通信應(yīng)用。

產(chǎn)品特色：

工作頻率：2515-2675MHz         飽和功率：260W
線性增益：14.5dB         線性效率：51.5%
封裝形式：陶瓷780-4
符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)

Doherty PA脈沖測(cè)試性能：

偏置條件：Vds = 48V，Carrier Ids =200mA，Peak Vgs = -4.2V
測(cè)試信號(hào)：Pulse Width =100 µs, Duty Cycle = 10 %

Doherty PA DPD性能:

偏置條件：Vds = 48V，Carrier Ids =200mA，Peak Vgs = -4.2V
測(cè)試信號(hào)：?jiǎn)屋d波WCDMA信號(hào)，PAR =7.5dB

能訊半導(dǎo)體還可提供多種GaN-on-SiC射頻功率放大器。產(chǎn)品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特點(diǎn)，歡迎垂詢?cè)囉茫?/p>