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能訊半導(dǎo)體發(fā)布用于LTE基站的國產(chǎn)氮化鎵微波晶體管

2014-04-02 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

近日國內(nèi)首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產(chǎn)企業(yè),蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)發(fā)布了新型氮化鎵微波功放晶體管產(chǎn)品DX1H2527150F。這款產(chǎn)品將助力通訊系統(tǒng)設(shè)備制造商,針對當(dāng)下熱門的LTE移動通訊市場,提出更高效、更具性價比的解決方案。

能訊發(fā)布首款氮化鎵微波晶體管:DX1H2527150F

能訊發(fā)布首款氮化鎵微波晶體管:DX1H2527150F

與以往的LDMOS和GaAs相比,GaN功放管在功率密度、工作帶寬和效率方面具有無與倫比的優(yōu)勢。這也使得GaN在移動互聯(lián)網(wǎng)、衛(wèi)星通訊、有線電視等等領(lǐng)域有著良好的市場前景,被業(yè)界認(rèn)為是射頻功率器件的未來。

能訊半導(dǎo)體總裁張乃千博士指出:“公司一直致力GaN微波功放晶體管的研發(fā)與制造,我們相信GaN功放管的寬頻帶、高線性度和高效率等優(yōu)異特性,能夠為客戶帶來價值。”能訊半導(dǎo)體本次推出的這款產(chǎn)品為DX1H2527150F內(nèi)匹配微波晶體管,其工作頻率范圍為2.5—2.7GHz,供電電壓為48V,飽和功率為200瓦。在WCDMA(帶DPD)測試條件下,其輸出功率達(dá)40W,ACLR小于-50dBc,效率高達(dá)33%。

該款產(chǎn)品是針對4G移動通訊的LTE基站應(yīng)用而量身打造的,擁有杰出的線性度、效率和功率密度,采用這款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)的Doherty放大器表現(xiàn)出了非常優(yōu)異的性能指標(biāo)。得益于能訊公司先進(jìn)的設(shè)計和優(yōu)良的工藝,產(chǎn)品多項指標(biāo)處于業(yè)界領(lǐng)先地位。同時,能訊公司承諾為客戶提供及時響應(yīng)、深度協(xié)助、提升競爭力的服務(wù)標(biāo)準(zhǔn),為客戶提供完整成熟的解決方案和充分的應(yīng)用技術(shù)支持。

氮化鎵的優(yōu)勢

氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大和電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,市場規(guī)模大于150億美元。為了爭奪這一技術(shù)制高點(diǎn)和市場機(jī)遇,世界各大半導(dǎo)體商都投入了巨大的力量,氮化鎵電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已進(jìn)入了爆發(fā)式增長的前奏。

氮化鎵的優(yōu)勢

氮化鎵應(yīng)用在微波領(lǐng)域的優(yōu)勢表現(xiàn)為:

更高效率:降低功耗,節(jié)省電能,降低散熱成本,降低總運(yùn)行成本。
更大的寬帶:提高信息攜帶量,用更少的器件實(shí)現(xiàn)多頻率覆蓋,降低客戶產(chǎn)品成本。也適用于擴(kuò)頻通信、電子對抗等領(lǐng)域。
更高的功率:在4GHz以上頻段,可以輸出比砷化鎵高得多的頻率,特別適合雷達(dá)、衛(wèi)星通信、中繼通信等領(lǐng)域。

氮化鎵應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢:

高轉(zhuǎn)換效率:氮化鎵的禁帶寬度是硅的3倍,擊穿電場是硅的10倍。因此,同樣額定電壓的氮化鎵開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻比硅器件低3個數(shù)量級,大大降低了開關(guān)的導(dǎo)通損耗。
高工作頻率:氮化鎵開關(guān)器件寄生電容小,工作效率可以比硅器件提升至少20倍,大大減小了電路中儲能原件如電容、電感的體積,從而成倍地減小設(shè)備體積,減少銅等貴重原材料的消耗。
高使用環(huán)境溫度:氮化鎵的禁帶寬度高達(dá)3.4eV,本征電子濃度極低,電子很難被激發(fā),因此氮化鎵器件理論上可以工作在800攝氏度以上的殘酷環(huán)境,降低系統(tǒng)使用周期成本。

關(guān)于能訊高能半導(dǎo)體

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司是于2007年創(chuàng)立的高新技術(shù)企業(yè),是中國第一家第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)電子器件制造企業(yè)。能訊半導(dǎo)體致力于高能效的氮化鎵功率半導(dǎo)體材料和器件產(chǎn)業(yè)化,其產(chǎn)品應(yīng)用涵括了射頻功率器件和電力電子兩大領(lǐng)域,公司曾于2009年生產(chǎn)出中國第一個耐壓2000V的氮化鎵開關(guān)功率芯片產(chǎn)品、并于2010年發(fā)布了領(lǐng)先的氮化鎵微波功率器件產(chǎn)品。公司的微波器件具有高電壓、高功率、耐高溫、寬頻及高增益特點(diǎn),在無線通訊、雷達(dá)和寬頻帶通信等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。公司的電力電子器件產(chǎn)品具有高效率、高速度、高結(jié)溫的特點(diǎn),在工業(yè)控制、電源、電動汽車以及太陽能逆變器領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,能夠有效降低電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)損耗50%以上,同時成倍地減小設(shè)備體積,減少銅等貴重原材料消耗,其耐高溫的特性也為節(jié)約重量、減少體積,特別適用于環(huán)境惡劣的場合。

能訊半導(dǎo)體自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、器件設(shè)計、制造工藝、封裝與可靠性技術(shù),已擁有46項中國發(fā)明專利和13項國際發(fā)明專利,其技術(shù)水平和產(chǎn)品指標(biāo)均已達(dá)到國際先進(jìn)水平。能訊的核心團(tuán)隊有著豐富的海外從業(yè)經(jīng)驗,目前還保持著眾多氮化鎵技術(shù)的世界紀(jì)錄。公司有員工150余人,50%以上擁有本科學(xué)歷,其中包括海外歸國博士8名、碩士40余名。公司先后承擔(dān)了國家“核高基”重大科技專項、科技部863重大項目以及省、市級重大科技產(chǎn)業(yè)項目。

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