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漢天下電子單芯片射頻前端項目榮獲北京市科學技術獎

2015-03-11 來源:微波射頻網 字號:

由北京中科漢天下電子技術有限公司獨自承擔的“基于標準CMOS工藝的單芯片射頻前端的開發與應用”項目,根據《北京市科學技術獎勵辦法》的規定,經市科學技術獎勵評審委員會評審,市政府批準,被授予北京市科學技術獎。

漢天下電子單芯片射頻前端項目榮獲北京市科學技術獎

北京市科學技術獎共分為計、電、材、環、能、制、城、交、農、醫、中、藥、基等十三個大類,共有220家公司獲得該獎項,但在集成電路技術領域僅僅只有4家,而漢天下電子作為一個僅僅成立兩年多的公司就獲得該殊榮,它彰顯了漢天下電子在射頻集成電路領域的創新性和研發實力。

該項目屬于集成電路技術領域,該項目的成果是研發了具有自主產權的CMOS射頻功率放大器產品。在技術上解決了天線失配導致的燒片問題;解決了CMOS工藝的耐壓問題;解決了CMOS工藝設計的PA的效率問題;解決了新的封裝工藝問題;解決了低功率下效率低的問題。該項目的成果打破國外壟斷,實現CMOS PA技術的國產化,經濟和社會效益顯著。

采用該項目成果的芯片產品,目前已占據全球GSM功率放大器50%以上市場份額,出貨量達到3000萬顆/月,該芯片的累計出貨量已達到4億顆。

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