恩智浦半導(dǎo)體公司獲英國(guó)政府投資，在該公司位于英格蘭曼切斯特附近的黑澤爾格羅夫晶片廠開發(fā)氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)。

英國(guó)政府將提供200萬英鎊（約300萬美元），支持恩智浦半導(dǎo)體公司的750萬英鎊（約1150萬美元）投資。1450萬美元的總投資將確保已有的至少400個(gè)制造崗位，并將創(chuàng)造100個(gè)新崗位。

恩智浦公司表示，該投資將用于招募額外的研發(fā)人員，開展原型制造，研制供氮化鎵功率半導(dǎo)體開發(fā)階段所需的裝備。

恩智浦半導(dǎo)體公司正努力將采用硅上氮化鎵工藝技術(shù)的650V二極管和開關(guān)技術(shù)商業(yè)化。該公司已經(jīng)開始發(fā)布一系列氮化鎵分立器件的計(jì)劃，相關(guān)器件在黑澤爾格羅夫的功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片廠制造。其產(chǎn)品定位于如功率因數(shù)校正電源、太陽能、馬達(dá)控制及汽車電子等以需要高能量轉(zhuǎn)換效率的應(yīng)用領(lǐng)域。

黑澤爾格羅夫生產(chǎn)晶體管已超過25年，且大多數(shù)時(shí)間是在制造金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管，當(dāng)前采用的是6英寸（168.3mm）直徑晶片。氮化鎵比硅效率高，正成為光電、功率半導(dǎo)體和射頻應(yīng)用的可選材料。然而，氮化鎵難以同已經(jīng)商業(yè)化的硅功率晶體管競(jìng)爭(zhēng)。近期，硅上氮化鎵實(shí)現(xiàn)了成本突破，降低了功率應(yīng)用的每晶片成本，允許在現(xiàn)有硅晶片廠部署工藝，并將晶片尺寸從6英寸按比例增大至8英寸（203.2mm）。

（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所  王巍）