1.1 概要

　　本項(xiàng)目是利用具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)的氮化鎵微波功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，在中國(guó)建設(shè)一個(gè)月處理3寸氮化鎵晶圓500片的氮化鎵器件工廠，這將是中國(guó)第一家氮化鎵微波功率器件設(shè)計(jì)制造企業(yè)，也是全球最領(lǐng)先的氮化鎵微波功率器件供應(yīng)商之一。

　　本項(xiàng)目計(jì)劃投資2.6億元人民幣，建設(shè)期為2年。

　　公司采取整合設(shè)計(jì)與制造(IDM)的商業(yè)模式。

　　公司已經(jīng)成功開發(fā)了多種氮化鎵微波功率器件產(chǎn)品。公司已經(jīng)向客戶進(jìn)行樣品投放并獲得了訂單意向。

　　本輪融資是西安能訊微電子有限公司的第二輪融資。

1.2 能訊微電子簡(jiǎn)介

　　能訊微電子是由留美歸國(guó)團(tuán)隊(duì)于2006年9月創(chuàng)辦的一家高新技術(shù)企業(yè)，目前實(shí)收注冊(cè)資本為3000萬元。公司總部位于西安高新區(qū)。能訊微電子是中國(guó)第一家第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波功率器件制造企業(yè)。公司已經(jīng)建設(shè)并運(yùn)營(yíng)了一條中試生產(chǎn)線，公司已經(jīng)通過ISO9001:2008質(zhì)量管理體系認(rèn)證。

　　公司采取垂直整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的商業(yè)模式，自主開發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料、器件設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的高功率密度微波功率器件，提供高性能的放大器解決方案。這些器件是3G、WiMAX 和 LTE等移動(dòng)通訊及無線數(shù)據(jù)基站設(shè)備、軍事防衛(wèi)整機(jī)如：雷達(dá)、干擾、反措施、通信、制導(dǎo)武器以及廣播和通信衛(wèi)星整機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域的射頻部件的關(guān)鍵元件。采用本公司放大器可以比以往器件提供更高的效率，并在單一放大器上實(shí)現(xiàn)更寬的頻段輸出，從而提高系統(tǒng)效率，降低系統(tǒng)復(fù)雜程度并提升系統(tǒng)性價(jià)比。

　　能訊微電子以成為領(lǐng)先的高能半導(dǎo)體供應(yīng)商為使命。

1.3 核心技術(shù)

　　由國(guó)際領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)帶領(lǐng)，經(jīng)過四年時(shí)間以及6000萬人民幣投資在本土進(jìn)行的產(chǎn)品研制與中試開發(fā)，西安能訊微電子有限公司已經(jīng)完全掌握了氮化鎵核心技術(shù)，包括材料生長(zhǎng)技術(shù)、器件設(shè)計(jì)技術(shù)、制造工藝技術(shù)、器件封裝技術(shù)以及應(yīng)用電路技術(shù)。圍繞這些核心技術(shù)，公司擁有了10項(xiàng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利、4項(xiàng)實(shí)用新型專利和1項(xiàng)國(guó)際發(fā)明專利申請(qǐng)（PCT）。

　　氮化鎵功率器件技術(shù)在國(guó)內(nèi)目前屬于空白，中國(guó)還沒有企業(yè)具有生產(chǎn)此類產(chǎn)品的技術(shù)能力。公司先后承擔(dān)了國(guó)家級(jí)、省部級(jí)科技項(xiàng)目如下：

　　（1）國(guó)家重大科技專項(xiàng)“核高基” ：核心電子器件專項(xiàng)之C波段氮化鎵器件項(xiàng)目；
　　（2）2009年國(guó)家發(fā)改委“中央投資電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技改項(xiàng)目”；
　　（3）2008年度科技部“中小企業(yè)創(chuàng)新基金”項(xiàng)目；
　　（4）2007年陜西省重大科技創(chuàng)新項(xiàng)目；
　　（5）2007年西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項(xiàng)重大項(xiàng)目；

1.4產(chǎn)品

　　能訊的微波功率器件產(chǎn)品形式可以分為三種形式：無匹配的晶體管芯片、經(jīng)過匹配后封裝的放大器件以及單片微波集成電路。能訊微電子目前計(jì)劃在以下市場(chǎng)投放產(chǎn)品：

　　（1）用于商用無線通信（3G/LTE等）基站的功率放大器(BS系列)；
　　（2）用于雷達(dá)的功率放大器（RA系列）；
　　（3）用于寬頻帶通信的放大器(WP系列)；
　　（4）用于電子對(duì)抗的寬頻帶放大器(EW系列)；
　　（5）用于衛(wèi)星通信的放大器(SC系列)。

　　能訊微電子的氮化鎵微波功率器件產(chǎn)品能夠帶給客戶的價(jià)值體現(xiàn)在四個(gè)方面：

　　（1）更高效率：降低運(yùn)行成本，提高功率密度并減小尺寸，最終降低總擁有成本；
　　（2）更高帶寬和更好的線性度：更好的通用性，用更少的器件實(shí)現(xiàn)全頻率帶寬覆蓋，減少開發(fā)成本；
　　（3）更高的偏置電壓：用更小的電流實(shí)現(xiàn)同等功率的輸出，降低熱損，從而降低熱管理成本；
　　（4）更高的節(jié)溫：提升可靠性，延長(zhǎng)MTTF，同時(shí)也減少了散熱需求，從而降低系統(tǒng)整體成本。

1.5市場(chǎng)與競(jìng)爭(zhēng)

　　能訊微電子的產(chǎn)品潛在市場(chǎng)非常廣闊而且正在高速增長(zhǎng)之中。Data beans在《2010 Wireless Semiconductors》報(bào)告指出，全球無線半導(dǎo)體為僅次于計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體的第二大半導(dǎo)體市場(chǎng)，其中功率放大器、收發(fā)器以及低噪聲放大器市場(chǎng)在2010年將實(shí)現(xiàn)為148億美元銷售，未來五年間預(yù)測(cè)將以CAGR 9%成長(zhǎng)。

　　目前，硅基的LDMOS器件占據(jù)了功率放大器市場(chǎng)的90%市場(chǎng)份額，而剩余的10%則被砷化鎵pHEMT技術(shù)所占領(lǐng)。然而，氮化鎵HEMT的興起將打破這種平衡，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole Developpement預(yù)計(jì)2010年氮化鎵微波功率放大器就可以實(shí)現(xiàn)1億美元的銷售。

　　由于能訊公司的氮化鎵功率器件切入市場(chǎng)的策略是先瞄準(zhǔn)硅功率器件性能無法達(dá)到的市場(chǎng)，因此氮化鎵功率器件將面臨硅工業(yè)不斷改進(jìn)的競(jìng)爭(zhēng)壓力，同時(shí)也需要與看到這一趨勢(shì)的世界范圍內(nèi)其他氮化鎵功率器件同業(yè)者開展競(jìng)爭(zhēng)。目前，能夠提供氮化鎵大功率微波器件的廠商只有5家，分別是Cree、Sumitomo(原Eudyna)、Triquint、RFMD和Ntronix。與這些廠商相比，能訊公司的優(yōu)勢(shì)如下：

　　（1）成本優(yōu)勢(shì)。因?yàn)镚aN前期開發(fā)的成本極其巨大，現(xiàn)在市場(chǎng)上進(jìn)口產(chǎn)品的絕大部分價(jià)格包含的是這方面的成本。能訊的這一過程已用非常低的投入完成了。
　　（2）周到和及時(shí)的服務(wù)。國(guó)外供應(yīng)商在中國(guó)的代理無論是在技術(shù)水平和規(guī)模上都無法和本土企業(yè)在這方面比擬。另外，能訊能夠根據(jù)國(guó)內(nèi)廠商的具體要求有針對(duì)性的開發(fā)其需要的產(chǎn)品。
　　（3）技術(shù)支持。能訊公司可以利用本土優(yōu)勢(shì)，幫助下游客戶加強(qiáng)對(duì)器件技術(shù)的更深的理解，這將有助于客戶深挖器件潛力，開發(fā)出更有競(jìng)爭(zhēng)力的設(shè)備產(chǎn)品。出于技術(shù)保密以及禁運(yùn)的因素，國(guó)外廠商往往無法達(dá)到能訊的技術(shù)支持力度。

　　因此，公司管理層制定了如下的市場(chǎng)目標(biāo)：成為中國(guó)最大的氮化鎵電子器件廠商；公司第一規(guī)模工廠穩(wěn)定量產(chǎn)后實(shí)現(xiàn)年銷售收入17.9億元人民幣，預(yù)計(jì)占全球氮化鎵微波市場(chǎng)的8%，占中國(guó)市場(chǎng)33%以上。

1.6 核心團(tuán)隊(duì)

　　能訊的核心團(tuán)隊(duì)成員曾在美國(guó)著名的半導(dǎo)體公司工作多年，有著豐富的半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)制造及管理經(jīng)驗(yàn)。簡(jiǎn)要介紹如下：

　　張乃千 博士

　　公司創(chuàng)始人，CEO。張乃千博士擁有十多年氮化鎵科研與工業(yè)界經(jīng)驗(yàn)，是世界上最早研究射頻功率氮化鎵電子器件的人員之一。畢業(yè)后張博士加入全球最大的射頻半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家RFMD公司，后任基站產(chǎn)品開發(fā)主管，2006年加入Bourns公司任先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)理。張博士有著豐富的GaN器件設(shè)計(jì)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，其發(fā)明的GaN器件表面鈍化技術(shù)和柵場(chǎng)板技術(shù)已成為GaN電子器件的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝。他1999年研制出世界第一個(gè)GaN電力電子器件，至2007年回國(guó)，期間多次刷新其耐壓記錄。張乃千擁有美國(guó)UCSB電子工程學(xué)博士學(xué)位，于1995年畢業(yè)于清華大學(xué)電子工程系微波專業(yè)。

　　任勉 MBA

　　公司創(chuàng)始人，首席運(yùn)營(yíng)官。具有15年企業(yè)管理與商業(yè)拓展經(jīng)驗(yàn)。AGTC公司前副總裁。任勉先生擁有北京大學(xué)MBA碩士學(xué)位及美國(guó)杜克大學(xué)Fuqua 商學(xué)院全球管理認(rèn)證。

　　裴軼 博士

　　公司創(chuàng)始人，器件技術(shù)總監(jiān)。裴先生專注于GaN器件的設(shè)計(jì)與制造工藝，是多項(xiàng)氮化鎵器件性能世界紀(jì)錄保持者。他發(fā)表過五十多篇GaN研究論文，擁有5項(xiàng)發(fā)明專利。美國(guó)UCSB電子工程學(xué)博士，早年畢業(yè)于北京大學(xué)。

1.7 項(xiàng)目財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)以及融資需求

　　經(jīng)估算，本項(xiàng)目總投資為2.6億元人民幣，其中建設(shè)投資2.4億元，流動(dòng)資金2000萬元。建設(shè)投資包括：工程費(fèi)用及輔助設(shè)備費(fèi)用8874萬元、設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)用11780萬元、其他費(fèi)用2950萬元、預(yù)備費(fèi)用396萬元。

　　本項(xiàng)目投資內(nèi)部收益率為54%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值69,797萬元，項(xiàng)目投資回收期為5.04年。

　　本項(xiàng)目投資內(nèi)部收益率為54%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值69,797萬元，項(xiàng)目投資回收期為5.04年。

1.8公司前景展望

　　第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件技術(shù)是未來無線通信與功率電子的關(guān)鍵技術(shù)，處于信息產(chǎn)業(yè)鏈的高端，對(duì)我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)特別是國(guó)防電子工業(yè)的發(fā)展具有重大戰(zhàn)略意義，具有廣闊的市場(chǎng)空間。由于發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)中國(guó)的技術(shù)進(jìn)口壁壘以及過去技術(shù)基礎(chǔ)薄弱的原因，中國(guó)微波功率器件絕大多數(shù)需要進(jìn)口。能訊微電子自主擁有全球領(lǐng)先的氮化鎵器件設(shè)計(jì)與制造工藝技術(shù)，填補(bǔ)了中國(guó)的產(chǎn)業(yè)空白，具有良好的發(fā)展前景。

　　全球能源需求的不斷增長(zhǎng)以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。節(jié)能降耗所創(chuàng)造出來的市場(chǎng)機(jī)會(huì)為新技術(shù)的迅猛發(fā)展正召喚劃時(shí)代半導(dǎo)體的出現(xiàn)，氮化鎵的商業(yè)應(yīng)用也接近收獲期。本項(xiàng)目的投入能夠利用世界先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)建立先進(jìn)半導(dǎo)體制造企業(yè)，在產(chǎn)品生命周期中處于高額利潤(rùn)的區(qū)段，投資回報(bào)率高。

　　公司是資本與技術(shù)密集型的企業(yè)，本項(xiàng)目的投資將帶動(dòng)相關(guān)行業(yè)的興起，具備較強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度，對(duì)區(qū)域產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整起到引領(lǐng)作用，從而增加政府對(duì)企業(yè)的關(guān)注與支持。