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pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片實現(xiàn)量產(chǎn)

2022-07-20 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

高度集成的IC套片可通過設(shè)計支持軟件輕松實現(xiàn)加速系統(tǒng)開發(fā)進度并提升系統(tǒng)性能

日前在國際微波研討會上,村田旗下專注于半導(dǎo)體集成技術(shù)的pSemi® Corporation宣布兩款新型毫米波集成電路(IC)已進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,這兩款I(lǐng)C適用于5G基站、5G客戶端設(shè)備以及點對點無線電通信應(yīng)用中的有源天線系統(tǒng)。除了8通道波束形成前端和雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片之外,pSemi還提供完整的工具和專業(yè)技術(shù)支持包,有助于簡化毫米波設(shè)計和開發(fā)。新款RF SOI IC套片是我們毫米波產(chǎn)品組合中的最新成員,這組業(yè)界最小尺寸的IC套片能夠提供n257、n258以及n260頻段的完整IF(中頻)至RF(射頻)解決方案。

 pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片實現(xiàn)量產(chǎn)

新款毫米波IC套片適用于5G基站、5G客戶端設(shè)備,以及點對點無線電通信應(yīng)用中的有源天線系統(tǒng)。

5G毫米波波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片

pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示:“隨著n257頻段在全球成為5G主流頻段,pSemi非常樂于推出一系列毫米波產(chǎn)品和設(shè)計工具來支撐市場對這一頻段不斷增長的需求。pSemi在高頻半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造方面歷史悠久,在毫米波解決方案領(lǐng)域擁有深厚的專業(yè)知識,且設(shè)施齊備,能夠打造性能和質(zhì)量方面均值得客戶和合作伙伴信賴的毫米波解決方案。”

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波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC的功能及優(yōu)勢

PE188200波束形成器IC(n257頻段)和PE128300上下轉(zhuǎn)換器IC(n257、n258頻段)擁有一系列功能及優(yōu)勢,可為5G FR2系統(tǒng)設(shè)計人員提供極大的便利,其功能及優(yōu)勢包括:

•  最小的每通道設(shè)計尺寸——單片集成式RF SOI IC具有業(yè)界最小的尺寸,無需額外布線即可輕松用于構(gòu)建大型陣列。

•  完整的IF至RF設(shè)計覆蓋范圍——上下變頻轉(zhuǎn)換器可以與多達四個pSemi波束形成器配對,以支持大規(guī)模MIMO、混合波束形成和其他有源天線配置。

此外,PE188200 8通道波束形成器IC能夠提供:

•  靈活的天線設(shè)計——8通道波束形成器IC支持4個雙極化或8個單極性天線單元,以及擴展配置,以實現(xiàn)最佳陣列增益、等效全向輻射功率(EIRP)和天線方向性。

•  波束形成精確度——所需EVM下的線性POUT具有低RMS相位和幅度誤差,可提高陣列增益和天線方向性,確保波束形成精確度。

PE128300雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器IC能夠提供:

•  高度集成的解決方案——業(yè)界首款雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器擁有最精致小巧的尺寸,能夠節(jié)省昂貴的空間。

•  低功耗——業(yè)界一流的上下變頻轉(zhuǎn)換器IC低功耗性能,支持更高效的系統(tǒng)散熱管理。

•  最大限度降低系統(tǒng)性能損害——最佳I/Q平衡和最小本振泄漏有助于提高EVM性能。

完整的毫米波控制軟件

除了樣品和評估套件(EVK)之外,pSemi還提供包含軟件工具和技術(shù)專業(yè)知識在內(nèi)的完整支持包,幫助客戶快速熟練應(yīng)用我們的波束形成器IC、上下變頻轉(zhuǎn)換器IC或兩者的陣列組合。

•  圖形用戶界面(GUI)——軟件GUI能夠確保寄存器編程的正確操作,以達成高效的代碼實現(xiàn)。

•  API集成——我們的GUI和API集成,能夠幫助您跨通道優(yōu)化性能。通過在客戶特定代碼中嵌入pSemi軟件,有助于加快軟件開發(fā)和演示。

•  全面的用戶手冊——每款產(chǎn)品均提供全面的用戶手冊,其中包含寄存器編程要求和操作細節(jié)。

pSemi技術(shù)和質(zhì)量優(yōu)勢

從樣機到批量出貨,pSemi提供的毫米波支持包中融合了公司在過去30多年積累的高頻半導(dǎo)體專業(yè)知識,具有能夠提供高性能、高集成和高可靠性支持的優(yōu)勢。

•  RF SOI創(chuàng)新——基于30多年的射頻集成電路RFIC)設(shè)計創(chuàng)新,以及在經(jīng)驗豐富的技術(shù)專家的支持下,能夠在業(yè)界最小的外形尺寸中實現(xiàn)最高水平的集成。

•  專利和知識產(chǎn)權(quán)——作為RF SOI技術(shù)發(fā)明者,擁有1000多項專利,堅持致力于推動高頻半導(dǎo)體器件性能的發(fā)展。

•  質(zhì)量和可制造性——由深受業(yè)界信賴的供應(yīng)商村田公司提供支持,村田在滿足最高可靠性和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的大批量制造方面擁有成熟的經(jīng)驗。

更多信息

這些分立的RFIC作為村田天線集成模塊的一部分,于2022年6月21日至6月23日在pSemi IMS #7078號展位上進行展示。

欲了解有關(guān)波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器RFIC的更多信息,請聯(lián)系pSemi團隊。

主題閱讀: 毫米波  5G
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