全球知名砷化鎵晶圓代工大廠穩懋半導體股份有限公司推出全新的0.12μm GaN-on-SiC技術，擴大其射頻GaN技術組合。NP12-01毫米波(mmWave) 技術提供了更高的增益和更高的晶體管穩定性因數。NP12-01技術適用于5G毫米波無線接入網絡、衛星通信和雷達系統中使用的高功率放大器。

NP12-01平臺支持全單片微波集成電路 (MMIC)，允許客戶開發高達50GHz的緊湊型線性或飽和功率放大器。該工藝適用于28V操作，并在29GHz頻段產生超過4W/mm的飽和輸出功率，線性增益為13.5dB，效率接近50%。當針對功率附加效率 (PAE) 進行優化時，NP12-01在29GHz提供超過3.5W/mm的輸出功率和超過50%的PAE。

NP12-01平臺提供的更高增益和功率附加效率為設計人員提供了更大的發揮空間，以優化放大器性能和芯片尺寸，以滿足新一代通信平臺和雷達系統日益苛刻的技術指標。根據功能，這些高性能應用需要精確優化輸出功率、線性度、增益和效率，而廣闊的權衡空間對于平衡放大器性能和產品成本至關重要。