超高效48伏模塊是半導體公司針對數(shù)據(jù)中心研發(fā)的最新客戶產(chǎn)品

Transphorm Inc.是一家設計和制造最高可靠性產(chǎn)品的領先公司，其研發(fā)了第一臺符合JEDEC-和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵（GaN）功率半導體元件。目前，經(jīng)證實，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件，效率達到98%，成為迄今為止電信行業(yè)效率最高的GaN驅動模塊。原始設計制造商（ODM）可以將提供標準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現(xiàn)有的同功率模塊交換，從而以較低的總體系統(tǒng)成本實現(xiàn)高可靠性、高性能解決方案。

設定行業(yè)標桿

ZHR483KS是HZZH首個基于GaN的功率解決方案，也是新產(chǎn)品線的龍頭產(chǎn)品。該模塊的輸入電壓范圍為85伏至264伏，而其輸出電壓范圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交錯無橋圖騰式PFC，以實現(xiàn)98%的半負載效率。GaN器件降低了功率模塊的開關損耗和驅動損耗，因此ZHR483KS的性能優(yōu)于以前使用超級結硅MOSFET的模塊。

HZZH首席技術官Guo博士表示：“我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件，但在低電壓條件下無法達到預期優(yōu)勢。然后，我們審查了幾家GaN制造商的器件，最終鑒于可靠性、器件成本和實現(xiàn)簡單，我們選擇了Transphorm的GaN場效應晶體管（FET）。”

Transphorm的GaNFET是一種雙芯片增強型場效應晶體管，可采用標準的TO-XXX封裝和普通現(xiàn)成驅動器驅動的PQFN模塊。當前的Gen III系列提供了GaN半導體行業(yè)最高閾值電壓（4V）和最高門穩(wěn)健性（±20V）。因此，客戶能夠輕松地設計出高可靠性的GaN解決方案，以實現(xiàn)該技術的高功率密度優(yōu)勢。

Transphorm亞洲區(qū)銷售副總裁Kenny Yim說：“Transphorm在開發(fā)每一代GaN平臺時都考慮了四個關鍵因素：可靠性、可驅動性、可設計性和可重復性。HZZH認為，我們的客戶打破市場需要這四個因素，因此選擇我們作為其GaN合作伙伴，于此，我們感到自豪。正是此次合作，我們的GaN被設計成各種不同的多千瓦電力系統(tǒng)，創(chuàng)造了行業(yè)記錄。我們預計，隨著我們未來在產(chǎn)品上的繼續(xù)合作，HZZH將繼續(xù)創(chuàng)新。”

ZHR483KS目前正在生產(chǎn)中。