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Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN系統(tǒng)級(jí)封裝

2023-03-10 來(lái)源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

系統(tǒng)級(jí)封裝可以為USB-C PD適配器和其他低功耗應(yīng)用提供結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、快速面市的解決方案

Transphorm將參加2023年應(yīng)用電力電子會(huì)議,展位號(hào)為853

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與適配器USB功率輸出(PD)控制器集成電路(IC)的全球領(lǐng)導(dǎo)者偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc., TWSE: 2436)近日宣布,雙方合作推出首個(gè)GaN系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。

WT7162RHUG24A是一種集成電路,設(shè)計(jì)用于為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他智能設(shè)備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過(guò)93%。器件樣品將在2023年第二季度推出。

除了向市場(chǎng)推新之外,此項(xiàng)公告還標(biāo)志著偉詮電子取得另一項(xiàng)重大成就。現(xiàn)在新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對(duì)交流轉(zhuǎn)直流電源市場(chǎng)的承諾。他們使用Transphorm的SuperGaN®技術(shù),提供了一個(gè)完整的系統(tǒng)解決方案。對(duì)Transphorm來(lái)說(shuō),這也是一次良好的證明,確認(rèn)其GaN器件的接口簡(jiǎn)易性和卓越性能。

Transphorm將在2023年應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC)上首次展示偉詮電子SiP,展位號(hào)為853。這兩家公司還將在會(huì)議期間發(fā)布有關(guān)WTDB_008 65W USB PD電源適配器評(píng)估板的詳細(xì)信息。

偉詮電子總經(jīng)理林崇燾(Tony Lin)表示:“WT7162RHUG24A是業(yè)界首次公開(kāi)發(fā)布的采用Transphorm GaN的SiP。它能使制造商開(kāi)發(fā)出成本更低的系統(tǒng)解決方案,因?yàn)榇私鉀Q方案需要的器件更少,而且可以使用更小的PCB,還具有其他優(yōu)點(diǎn),還能減少系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間。我們正在高效地幫助適配器制造商消除設(shè)計(jì)障礙。值得注意的是,憑借此產(chǎn)品,偉詮電子可以進(jìn)入一個(gè)新的市場(chǎng)。這是我們的PWM控制器有史以來(lái)的首個(gè)SiP,證明了我們對(duì)支持大批量增長(zhǎng)領(lǐng)域的承諾。而且,通過(guò)與GaN FET的集成,我們已經(jīng)提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶(hù)的一次共贏。”

Transphorm總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官Primit Parikh表示:“適配器快充市場(chǎng)是目前GaN應(yīng)用的一個(gè)快速增長(zhǎng)領(lǐng)域。我們正在擴(kuò)大市場(chǎng)份額,并繼續(xù)創(chuàng)新,最近推出的這款GaN SiP將使我們的GaN器件更易使用。我們很高興能將業(yè)界領(lǐng)先的SuperGaN平臺(tái)與偉詮電子的創(chuàng)新型適配器電源控制器技術(shù)結(jié)合起來(lái)。偉詮電子提供了一個(gè)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換平臺(tái),可以為適配器/快速充電器客戶(hù)打造一個(gè)簡(jiǎn)單易用的解決方案,兩家公司都可以利用這個(gè)平臺(tái)來(lái)加速贏得這個(gè)市場(chǎng)。”

WT7162RHUG24A的規(guī)格和特點(diǎn)

新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模式反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN® FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝,可減少印刷電路板尺寸。其他主要規(guī)格包括:

?  峰值功率效率:> 93%

?  功率密度:26 W/in3

?  寬輸出電壓操作:USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

?  最大頻率:180kHz

?  目標(biāo)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):QR反激模式/谷值開(kāi)關(guān)多模操作

主要特點(diǎn)包括:

特點(diǎn)

優(yōu)勢(shì)

可調(diào)節(jié)的GaN FET開(kāi)啟/關(guān)閉速度

增加EMI測(cè)試和解決方案操作的靈活性

不需要外部VDD線性穩(wěn)壓器電路

減少元件數(shù)量

減少封裝寄生效應(yīng)(電感、電阻、電容)

最大限度提高芯片性能

直接從交流主電壓的相線/中性線拉出700V超高壓?jiǎn)?dòng)電流

減少元件數(shù)量

盡管增加了PWM芯片,但仍適用8x8 QFN封裝

支持小外形/小系統(tǒng)封裝

目標(biāo)應(yīng)用和供貨信息

WT7162RHUG24A SiP適用于高性能、小體積USB-C電源適配器,可用于移動(dòng)/物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、耳機(jī)、無(wú)人機(jī)、揚(yáng)聲器、相機(jī)等。

主題閱讀: GaN
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