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Transphorm和偉詮電子合作發布集成式GaN系統級封裝

2023-03-10 來源:微波射頻網 字號:

系統級封裝可以為USB-C PD適配器和其他低功耗應用提供結構緊湊、經濟實惠、快速面市的解決方案

Transphorm將參加2023年應用電力電子會議,展位號為853

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與適配器USB功率輸出(PD)控制器集成電路(IC)的全球領導者偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc., TWSE: 2436)近日宣布,雙方合作推出首個GaN系統級封裝(SiP)。

WT7162RHUG24A是一種集成電路,設計用于為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其他智能設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。器件樣品將在2023年第二季度推出。

除了向市場推新之外,此項公告還標志著偉詮電子取得另一項重大成就。現在新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對交流轉直流電源市場的承諾。他們使用Transphorm的SuperGaN®技術,提供了一個完整的系統解決方案。對Transphorm來說,這也是一次良好的證明,確認其GaN器件的接口簡易性和卓越性能。

Transphorm將在2023年應用電力電子會議(APEC)上首次展示偉詮電子SiP,展位號為853。這兩家公司還將在會議期間發布有關WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細信息。

偉詮電子總經理林崇燾(Tony Lin)表示:“WT7162RHUG24A是業界首次公開發布的采用Transphorm GaN的SiP。它能使制造商開發出成本更低的系統解決方案,因為此解決方案需要的器件更少,而且可以使用更小的PCB,還具有其他優點,還能減少系統開發時間。我們正在高效地幫助適配器制造商消除設計障礙。值得注意的是,憑借此產品,偉詮電子可以進入一個新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個SiP,證明了我們對支持大批量增長領域的承諾。而且,通過與GaN FET的集成,我們已經提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”

Transphorm總裁兼首席運營官Primit Parikh表示:“適配器快充市場是目前GaN應用的一個快速增長領域。我們正在擴大市場份額,并繼續創新,最近推出的這款GaN SiP將使我們的GaN器件更易使用。我們很高興能將業界領先的SuperGaN平臺與偉詮電子的創新型適配器電源控制器技術結合起來。偉詮電子提供了一個領先的功率轉換平臺,可以為適配器/快速充電器客戶打造一個簡單易用的解決方案,兩家公司都可以利用這個平臺來加速贏得這個市場。”

WT7162RHUG24A的規格和特點

新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模式反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN® FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝,可減少印刷電路板尺寸。其他主要規格包括:

?  峰值功率效率:> 93%

?  功率密度:26 W/in3

?  寬輸出電壓操作:USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

?  最大頻率:180kHz

?  目標拓撲結構:QR反激模式/谷值開關多模操作

主要特點包括:

特點

優勢

可調節的GaN FET開啟/關閉速度

增加EMI測試和解決方案操作的靈活性

不需要外部VDD線性穩壓器電路

減少元件數量

減少封裝寄生效應(電感、電阻、電容)

最大限度提高芯片性能

直接從交流主電壓的相線/中性線拉出700V超高壓啟動電流

減少元件數量

盡管增加了PWM芯片,但仍適用8x8 QFN封裝

支持小外形/小系統封裝

目標應用和供貨信息

WT7162RHUG24A SiP適用于高性能、小體積USB-C電源適配器,可用于移動/物聯網設備,如智能手機、平板電腦、筆記本電腦、耳機、無人機、揚聲器、相機等。

主題閱讀: GaN
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