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Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率

2018-10-22 來源:微波射頻網 字號:

埃賦隆半導體(Ampleon)近日宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P,專門設計用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應用。

Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶體管而引領射頻功率效率

該晶體管采用陶瓷4引腳SOT539形式并采用法蘭螺栓固定封裝(BLF13H9L750P)和法蘭無耳封裝(BLF13H9LS750P),可提供優于62%、據信是同類產品中最高的效率。憑借如此高的工作效率規格,該晶體管與其他固態競爭器件相比,將有助于實現顯著的功耗節省。

此外,與基于速調管和真空管放大器的老式設備相比,固態方法所需的維護會少很多,生命周期更長并且所需的物理空間更少,因此可進一步降低運營成本。

BLF13H9L(S)750P晶體管還具有市場領先的17dB增益。埃賦隆半導體Gen9HV 50V LDMOS工藝于2017年推出,可生產高度一致的晶體管,從而可確保客戶在生產過程中保持高度的可復制性。

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