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銳成芯微攜手中芯國際推出基于55納米嵌入式閃存平臺解決方案

2017-10-11 來源:微波射頻網 字號:

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐交所代號:SMI,港交所股份代號:981),世界領先的集成電路晶圓代工企業之一,中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業,與國內領先的超低功耗模擬IP供應商成都銳成芯微科技股份有限公司(以下簡稱“ACTT”)聯合宣布推出基于中芯國際55納米嵌入式閃存技術平臺的模擬IP解決方案。成都銳成芯微模擬IP以及中芯國際55納米工藝技術均針對低功耗應用而開發,能夠充分滿足物聯網產品對低成本和超長電池壽命的需求。

近年來,全球物聯網市場持續快速增長,并將很快成為半導體產業的主要推動力。同時亞太區擁有潛力占據更多的市場份額,并成為全球最重要的物聯網市場之一。基于中芯國際55納米嵌入式閃存工藝,ACTT成功推出了一款低功耗物聯網平臺,為全球客戶提供低成本、低功耗的解決方案。

“設計者需要根據物聯網產品的能效指標改進解決方案。”ACTT首席執行官向建軍表示,“ACTT在低功耗設計領域已深耕多年,積累了豐富的低功耗模擬電路設計經驗。基于對物聯網產品技術演進的判斷,我們認為55納米工藝是目前性能、功耗、成本最優的選擇。中芯國際55納米嵌入式閃存工藝極具性能和成本優勢,我們此次同中芯國際成功合作推出低功耗物聯網模擬平臺,能夠為全球客戶提供最具性價比的選擇。”

中芯國際設計服務執行副總裁湯天申表示:“中芯國際55納米嵌入式閃存平臺可提供高性能和低功耗的解決方案。通過與ACTT的合作,我們將可以支持IC設計公司對多種物聯網應用芯片的開發需求。中芯國際致力于與IC生態系統合作伙伴合作開發技術,優化知識產權設計,提供全面的平臺解決方案,幫助客戶縮短上市時間,抓住新興智慧時代的機遇。”

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