PE42525和PE426525具有高速開關、高隔離度、低插入損耗及出色的線性度等特性，
為微波頻段上的RF SOI設定了新標準

RF SOI（射頻絕緣體上硅）的發明者及先進射頻解決方案的先驅派更（Peregrine）半導體公司宣布，其可立即量產供應UltraCMOS® 60 GHz RF SOI開關。PE42525和PE426525將派更的高頻產品組合擴展至以往由砷化鎵（GaAs）技術主導的頻段。

這兩種60 GHz開關在所有關鍵射頻參數上均表現出杰出的性能，最高開關速度僅8納秒。PE42525是5G系統中測試與測量（T&M）設備、微波回傳解決方案及更高頻率開關的理想選擇。PE426525擴展了適用溫度區間，成為工業市場中嚴苛環境應用的首選。

派更半導體公司全球銷售副總裁Colin Hunt表示：“去年10月初，我們在歐洲微波與射頻通訊技術專業展覽會（European Microwave Week）上宣布將推出60 GHz開關樣品和評估工具，獲得了巨大的市場反響。這些高頻開關在多個市場被廣泛應用，包括5G、測試與測量和防務市場等。這些開關不僅打破了高頻開關產品的范例，同時也改變了SOI快速開關的固有模式。”

PE42525和PE426525是派更公司高頻產品組合的成員，該產品組合包括多款開關產品、一種鏡像抑制混頻器，及多款單片相位與幅度控制器（MPAC）。派更公司的專屬UltraCMOS技術平臺可確保這些產品達到較高的頻率，且不會對產品性能或可靠性造成影響。

產品特性、封裝、價格與供貨

PE42525與PE426525均為單刀雙擲（SPDT）射頻開關，可支持9 kHz~60 GHz的寬廣頻率區間。這兩款反射式開關可實現驚人的8納秒高速開關速度，以及3納秒的RF TRISE/TFALL時間。這兩款開關僅需390納安的低電流。除所有關鍵射頻規格均達到卓越性能外，它們還具備端口間高隔離度、低插入損耗、大功率處理能力、高線性度及杰出1 kV HBM ESD保護等性能。在50 GHz時，PE42525與PE426525的端口間隔離度為37 dB，插入損耗為1.9 dB。PE426525的擴展溫度范圍達到-55~+125攝氏度。

PE42525和PE426525采用500微米凸塊間距的倒裝片芯，這種外形最適應于高頻工作，可消除因焊線結合長度而產生的性能差異。

量產零件與評估工具已上市銷售。訂購1千片時的價格為PE42525每片40美元，PE426525每片48美元。