Xpeedic近日發(fā)布了射頻芯片電磁場(chǎng)仿真軟件——IRIS 2017。

IRIS 2017 具有多核和分布式并行化的快速3D矩量法求解器能顯著減少EM仿真的時(shí)間，從而提高了設(shè)計(jì)效率。與Virtuoso的無(wú)縫集成不僅使設(shè)計(jì)人員能夠停留在Cadence設(shè)計(jì)環(huán)境中執(zhí)行EM仿真，避免了手動(dòng)和易出錯(cuò)的布局?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，而且還通過(guò)反標(biāo)實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)驗(yàn)證前后端的完美融合。這種設(shè)計(jì)流程將極大地幫助IC設(shè)計(jì)人員減少設(shè)計(jì)周期并實(shí)現(xiàn)一次硅片仿真成功。

What’s new in IRIS 2017

· 內(nèi)嵌GA優(yōu)化算法，導(dǎo)出電感，MiM電容、MoM電容和變壓器模型的等效電路，并且可導(dǎo)出HSPICE和Spectre兩種子電路網(wǎng)表。
· 支持多端口矩陣求解并行化，從而提高仿真速度和效率。
· 在網(wǎng)格剖分階段優(yōu)化過(guò)孔合并效率，并且有2倍的速度提升。
· 支持砷化鎵工藝中由多層金屬直接疊加所形成的MiM電容網(wǎng)格剖分和仿真。
· 支持在創(chuàng)建iCell之前逐層合并過(guò)孔，提升iCell后處理和仿真效率。
· 提供在創(chuàng)建iCell之前逐層刪除懸浮金屬pattern選項(xiàng)，從而支持對(duì)大規(guī)模高節(jié)點(diǎn)工藝仿真。
· 工藝疊層定義工具支持同名過(guò)孔穿越不同金屬層。
· 支持Virtuoso 5.1, Virtuoso 6.1和Virtuoso ICADV 12.2.
· 在ADS仿真環(huán)境提供IRIS運(yùn)行插件，為RFIC、MMIC和LTCC用戶提供接口直接調(diào)用IRIS仿真引擎。
· 工藝支持導(dǎo)入Calibre和ADS工藝文件，并自動(dòng)轉(zhuǎn)換成IRIS工藝文件。
· 根據(jù)pin 名字自動(dòng)添加IRIS仿真端口。
· 使用單獨(dú)的線程調(diào)用mesher，避免將Virtuoso主窗口鎖死，從而提高用戶使用體驗(yàn)。
· 根據(jù)金屬厚度、寬度和間距信息自動(dòng)判斷MoM求解器的金屬仿真模式，包括sheet、thick和3D模式。
· 在網(wǎng)格視圖窗口顯示三角形網(wǎng)格數(shù)量。
· 將SnpExpert升級(jí)到2017.01版本，該版本增加了很多新功能，并且采用了最新Ribbon用戶界面。