半導體制造商ROHM株式會社已正式將適用于工業設備、太陽能發電功率調節器（Power conditioner）等變流器/轉換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC）MOSFET模塊（額定規格1200V/ 180A）投入量產。據ROHM稱，該模塊首創業界先例，采用了將功率半導體組件內建于碳化硅MOSFET之結構，將額定電流提高至180A，如此一來，應用范圍更廣，還能有效協助各種設備達到低功耗及小型化。

ROHM已于2012年3月領先業界，正式投入“全碳化硅功率模塊”（額定規格1200V/100A）的量產，此一產品完全使用碳化硅作為功率半導體的組件結構，雖然目前還在工業設備應用領域推廣中，但市場上極度期盼此類產品既能夠維持小體積同時又能產生大電流，因此本產品的研發備受期待。

要產生大電流，通常會采取增加MOSFET的配置數量等方式，此外，還必須在設備上加裝二極管等整流組件，因此要維持小型體積十分困難。

為解決本體二極管（Body diode）的通電劣化問題，ROHM采用了第2代的碳化硅MOSFET，成功地研發出不需以二極管作為整流組件的碳化硅功率模塊（碳化硅MOSFET模塊），藉由增加碳化硅MOSFET的配置面積，讓模塊的體積維持不變，并同時達成大電流的目標。

內建碳化硅MOSFET可改善結晶缺陷相關的制程與組件結構，因此能成功地克服本體二極管（Body diode）等組件在可靠性上的問題。

相較于一般轉換器所使用的硅質IGBT，可減少損耗達50%以上，除了降低損耗外，還能達到50kHz以上的高頻，也能使用較小型的周邊零件。

特點

1. MOSFET單體仍維持切換特性，同時創造出無尾電流、低功耗之切換質量

即使不使用肖特基二極管，仍能達到和傳統產品同級的切換特性，而且不會產生在硅質IGBT上所常見的尾電流，因此可成功降低損耗達50%以上，有效為設備的節能化帶來幫助。此外，高達50kHz以上的切換頻率，也是硅質IGBT所無法達成的，因此就連外圍設備也能一舉實現小型化與輕量化的目標。

2. 可逆向導通，因此能夠創造出高效率的同步整流電路

一般來說，硅質IGBT組件無法被逆向導通，而碳化硅MOSFET因為是本體二極管，因此隨時可逆向導通。此外，加入閘極訊號后，即可讓MOSFET進行逆向導通，相較于只使用二極管的方式，更能夠達到低電阻目標。利用此種逆向導通特性所衍生出來的高效率同步整流技術，讓產品即使在1000V以上的電壓時，也能創造出高于二極管整流方式之絕佳效率。

3. 解決本體二極管的通電劣化問題

即使通電時間超過1000小時，特性亦不劣化

本體二極管具有通電時會使缺陷擴大的特性，因此ROHM由制程及組件結構兩方面著手，成功地解決發生缺陷的原因。

一般產品只要超過20小時，導通（ON）電阻就會大幅增加，不過，本產品即使通電時間超過1000小時，導通（ON）電阻也不會增加。

本產品的生產地點為ROHM株式會社總公司工廠（位于日本京都市），目前已經開始樣品出貨，并預定自12月開始正式量產及出貨。

專有名詞解釋

- 本體二極管（Body diode）
在MOSFET的結構上，于其內部所形成的二極管，當變流器動作時，電流會通過此二極管，因此需要較低的VF （順向電壓）或高速回復特性。

- 尾電流（Tail current）
亦即IGBT在關機時經常會發生的瞬時電流（Transient current），因電洞的蓄積時間而發生。在此期間將產生汲極電壓，因此會造成極大的切換損耗。

- IGBT （「Insulated Gate Bipolar Transistor」一詞之縮寫，中文翻譯為: 絕緣閘雙極晶體管）
除了電子外，還可藉由電流通過電洞的方式而達成低導通（ON）電阻的一種功率晶體管，由于電洞的蓄積時間，因此無法高速驅動，并且會出現切換損耗較大的問題。

- 順向電壓（VF：Forward Voltage）
亦即當順向電壓通過時，二極管所產生的電壓值，數值越小，表示功耗越少。

- 導通（ON）電阻
亦即功率組件動作時的電阻值，此為影響功率MOSFET性能最重要的一項參數。數值越低，代表性能越佳。