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安森美半導(dǎo)體推出帶集成肖特基二極管的功率MOSFET

2010-04-14 來源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容,新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值,針對降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化,達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及 12.2 nC,確保開關(guān)損耗也保持最低。

安森美半導(dǎo)體這些新的功率MOSFET典型應(yīng)用包括用于服務(wù)器、電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)施、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、筆記本電腦及游戲機(jī)的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換及低端開關(guān)操作。

安森美半導(dǎo)體功率MOSFET業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“集成肖特基二極管借助于集成在與初級FET結(jié)構(gòu)相同的裸片中,減小死區(qū)時(shí)間導(dǎo)電損耗,因而提升能效及改善波形。這些新的器件為客戶提供更寬陣容的產(chǎn)品及方案,解決他們獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)?!?/P>

封裝及價(jià)格

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些器件每10,000片批量的價(jià)格為0.45美元至0.90美元。

更多信息請?jiān)L問http://www.onsemi.cn。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)是應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶有效地解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、LED照明、醫(yī)療、工業(yè)、軍事/航空及電源應(yīng)用的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界級、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請?jiān)L問http://www.onsemi.cn。

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