[據(jù)化合物半導體網站2016年10月11日報道]伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵（GaN）熱控制方法。

GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行（500℃以下），但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產生過多的熱量，這會限制他們的性能。

基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。

采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。

“越薄、越冷，” 拜拉姆說，“傳統(tǒng)的GaN晶體管沉積在厚襯底上（例如硅、碳化硅），但這不是理想的熱導體。拜拉姆指出，挑戰(zhàn)在于GaN在傳統(tǒng)基板上外延不匹配，這導致數(shù)十微米厚的裝置，并且在多數(shù)情況下達到數(shù)百微米。

“這對散熱來說影響極差，考慮到熱源隨著柵極縮小在亞微米級，” 拜拉姆說。使用新穎的半導體釋放方法，如智能切割和剝落，一個可以從其余的外延和厚的基板釋放的GaN晶體管，就可以從改進熱控制中獲益。

“通過細化設備層，可以降低大功率GaN晶體管50攝氏度的熱點溫度。” 拜拉姆說。

該研究領導者柯洪·帕克認為設備厚度有一個極限。“如果你減少了太多，就會得到反效果，實際上增加了設備內部的溫度，”帕克說。對典型器件而言，最佳厚度證明是一微米左右。

他們說，這項工作是很重要的，因為它提供了GaN基晶體管的熱控制設計指導方針。最優(yōu)層尺寸與設備的界面熱阻（TBR）緊密相關，TBR是GaN外延層和其他的接口存在的一個條件。

帕克表示，“我們根據(jù)TBR的不同價值確定了減少GaN晶體管熱點溫度的最佳厚度。此外，層的大小取決于設備將如何使用。如果它是為更高的功率應用，那么理想情況你需要更薄，亞微米厚的層。”

伊利諾斯團隊下一步是在襯底上實際制造GaN晶體管之前，研究GaN 層的電學性質，諸如工程鉆石和外延石墨烯。

伊利諾斯的研究由空軍科學研究局（AFOSR）青年研究項目批準號：FA9550-16-1-0224資助；結果發(fā)表在2016年10月10日應用物理快報B1版面。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 宋文文）