記者從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉，該所科技人員立足自主研發，在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后，2月4日，成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶，這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。

據介紹，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂移速度高，臨界擊穿場強大，熱導率高等諸多特點，主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET等器件。在綠色照明領域，用碳化硅襯底制作的LED性能遠優于藍寶石襯底。專家表示，碳化硅襯底需求將在短期內迎來一個爆發增長期。

該項目得到國家重大專項和“863”計劃的支持。

（原載于《中國科學報》2013-02-07 第1版 要聞)