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日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)和日立公司上周末宣布,已經(jīng)成功開發(fā)出了新一代微波輔助磁記錄基本技術(shù),未來將可用于超高密度硬盤存儲。
所謂微波輔助磁記錄技術(shù),使用將高頻率磁場施于磁介質(zhì)的一小塊區(qū)域內(nèi),幫助磁頭寫入數(shù)據(jù)。有關(guān)該技術(shù)的研究和報告早已有之,但一直無法實現(xiàn)微波發(fā)射裝置的小型化,應(yīng)用于硬盤磁頭。NEDO和日立的新突破就在于,恒公開發(fā)出了一款超微型的旋轉(zhuǎn)扭矩振蕩器(即微波發(fā)射器),可以直接附加在硬盤磁頭上。并且,他們已經(jīng)通過實驗證實了該振蕩器可以在應(yīng)用中幫助磁頭進行磁信息信息寫入。
根據(jù)目前的計算機模擬確認,通過使用微波輔助磁記錄技術(shù),硬盤盤片存儲密度有望達到每平方英寸3Tb。3.5寸硬盤的單碟容量屆時將達到3TB左右。
NEDO和日立將在本月中旬于美國亞特蘭大召開的MMM磁性和磁材料年會上公布該項突破的更多信息。