[據軍事航空電子網站2012年11月30日報道]美國國防威脅減除局（DTRA）11月28日發布了一份信息征詢書（NTS139926578），尋求先進抗輻射高頻模擬和射頻半導體技術，以支持“先進高頻模擬和射頻半導體技術研發與加固”項目。

DTRA將向行業尋求輻射測試、建模和模擬技術，以評估單粒子效應（SEE）和總劑量效應（TID）的輻射環境下高頻半導體的模擬和射頻性能。

DTRA也關注90納米以下半導體的抗輻射建模、仿真和抗輻射加固設計技術，設備類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統，如衛星和導彈。
（工業和信息化部電子科學技術情報研究所陳皓）