中國大陸代工廠商中芯國際（SMIC）近日透露了將于2009年推出45nm和40nm技術。

    總部位于上海的中芯國際希望在2011年前完成32nm的開發，并稱公司正與IBM商討32nm技術授權事宜。中芯國際未透露該合作細節。

    在65nm節點之前，中芯國際一直自主開發工藝。而去年下半年中芯國際獲得了IBM45nm技術授權。

    中芯國際在技術方面落后于其主要競爭對手——特許、臺積電和聯電。特許作為IBM“fabclub”成員，計劃于2009年底前推出32nm技術。IBM的32nm技術包括高k金屬柵技術。

    中芯國際表示，對于目前公司所處的市場地位表示滿意，稱公司更愿意成為數字電路代工領域的“快速追趕者”。風險投資公司WaldenInternational創始人兼主席Lip-BuTan在近日舉行的2008中芯國際技術論壇中表示，65nm和45nm技術較之前的節點將存在更長的時間，部分是因為高額的設計、掩模等成本。

    相對于競爭對手，中芯國際并未停止不前。“我們落后于最先進的技術一個世代，但我們正在追趕。”中芯國際美國區總裁SamWang表示。

    然而目前代工市場正在放緩。代工廠的初制晶圓數量正大幅減少。據HSBCGlobalTechnologyResearch的分析師StevenPelayo表示，第四季度晶圓代工廠的產能利用率將降低至75％以下。

    Wang表示，中芯國際保持對第三季度的預期，但未對第四季度發表評論。

    中芯國際的技術路圖

    今年下半年，中芯國際開始了65nm世代。目前中芯國際計劃提供65nm的低功耗、通用和混合信號/RF技術代工，采用4至10層金屬布線、銅互聯和三層柵氧化等技術。

    據稱，2008年第三季度中芯國際已進入65nm低功耗技術“工藝驗證（processqualification）”階段。“工藝驗證”標志著該技術已可以進行“風險試產（riskproduction）”。預計年底可投產。

    65nm通用技術和混合信號/RF技術將分別在明年第一季度和第二季度進入“工藝驗證”階段。

    2009年第三季度前，中芯國際將進入45nm世代，該技術來自IBM的授權，采用4至10層金屬布線、銅互聯和超低k介質等技術。該工藝將采用193nm沉浸式光刻，設備由ASML提供。

    45nm低功耗技術預計將于2009年第三季度進入“工藝驗證”階段。45nm通用技術和混合信號/RF技術將分別于2010年第一季度和第二季度進入“工藝驗證”階段。

    中芯國際市場和銷售聯合副總裁RobertTsu稱，基于客戶的需要，中芯國際將開發40nm工藝。40nm技術將于2009年底發布。該技術同樣來于IBM的授權。

    中芯國際的45nm和40nm工藝將在位于上海的300mm工廠投產。

    中芯國際預計32nm工藝將要到2011年第二季度之后才發布。在公司技術路圖上，該32nm低功耗技術將于2011年第二季度進入“工藝驗證”階段。

    32nm以下節點未出現在中芯國際的技術路圖中。