物理學報  2001, Vol. 50  Issue (12): 2471-2476

周萬城1, 萬偉1, 趙東林2
(1)西北工業大學凝固技術國家重點實驗室,西安710072; (2)西北工業大學凝固技術國家重點實驗室,西安710072,北京化工大學碳纖維及復合材料研究所,北京100029
MICROWAVE PERMITTIVITY OF NANO Si/C/N OMPOSITE POWDERS
ZHOU WAN-CHENG1, WAN WEI1, ZHAO DONG-LIN2

摘要： 研究了納米Si/C/N復相粉體在8.2—18GHz的微波介電特性,采用雙反應室激光氣相合成納米粉體裝置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)為原料,用激光誘導氣相反應法合成納米Si/C/N復相粉體,復相粉體的粒徑為20—30nm.納米Si/C/N復相粉體與石蠟復合體的介電常量的實部(ε′)和虛部(ε″)以及介電損耗角正切(tan δ=ε″/ε′)隨納米粉體含量的增加而增大,ε′和ε″與納米粉體體積分數(v)之間符合二次函

引用本文:   
趙東林,周萬城,萬偉. 納米Si/C/N復相粉體的微波介電特性. 物理學報, 2001, 50(12): 2476. 
Cite this article:   
ZHAO DONG-LIN,ZHOU WAN-CHENG,WAN WEI. MICROWAVE PERMITTIVITY OF NANO Si/C/N OMPOSITE POWDERS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2471-2476. 

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