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RF功率晶體管耐用性驗證方案
晶體管耐用性測試通常涉及在測試過程中可能變也可能不變的三個電氣參數(shù):輸入功率,施加到待測晶體管的直流偏置以及提供給待測器件的負(fù)載阻抗。本文介紹一些最新的耐用型...
發(fā)布時間:2013-01-30關(guān)鍵詞:RF功率晶體管 -
高功率單管放大器設(shè)計
本文以高功率晶體管MRF154放大器設(shè)計為例,對匹配電路中片狀電容器進(jìn)行分析,給出了電容器的等效電路及放大器的實驗結(jié)果。
發(fā)布時間:2013-01-14關(guān)鍵詞:高功率單管放大器 -
DAC和ADC為無線射頻通信加速
隨著精密的光刻技術(shù)不斷在一定芯片面積上實現(xiàn)更多的晶體管,數(shù)字技術(shù)水平也在不斷提升。這些進(jìn)步將對射頻和微波設(shè)計帶來巨大影響。
發(fā)布時間:2012-12-04關(guān)鍵詞:無線射頻通信