功放芯片屬于微波功率器件的范疇，圖3-2給出了一個(gè)典型的功放芯片的原理圖符號(hào)，包括以下管腳：

VCC 主電源供電管腳
VC1 一級(jí)功率放大供電管腳
VC2 二級(jí)功率放大供電管腳
RFIN 射頻信號(hào)輸入管腳
RFOUT 射頻信號(hào)輸出管腳
GAIN_1 增益控制管腳之一
GAIN_2 增益控制管腳之二
POWER_DETECT 內(nèi)建功率檢測(cè)輸出管腳

圖3-2 典型的功放芯片

值得注意的是，GAIN_1和GAIN_2是來(lái)自收發(fā)器（Transceiver）的控制信號(hào)，是直流電壓，POWER_DETECT是功放芯片輸出的發(fā)射功率檢測(cè)值，也是直流電壓，而RFIN和RFOUT是最重要的射頻信號(hào)管腳。

3.1.2. 功放芯片的主要廠商

在市場(chǎng)上的產(chǎn)品中，功放芯片的供應(yīng)商基本上就是這四家：SiGe，SST，Microsemi，Richwave，表3-1，表3-2給出了幾個(gè)實(shí)際項(xiàng)目中所采用的功放芯片的型號(hào)。

表3-1 Atheros的設(shè)計(jì)中采用的功放芯片

表3-2 Ralink的設(shè)計(jì)中采用的功放芯片

通過(guò)以上表格，我們很容易發(fā)現(xiàn)，Atheros很喜歡Microsemi的芯片，而Ralink則比較喜歡Richwave和SST的，在BCM4323這個(gè)項(xiàng)目中，使用的功放芯片是SiGe的，在AP96現(xiàn)在的設(shè)計(jì)中，使用的也是SiGe的Frontend Module。

3.1.3. 功放芯片的主要參數(shù)

功放芯片的選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，在實(shí)際的選擇過(guò)程中，我們一般會(huì)考慮如下的幾項(xiàng)參數(shù)：
工作頻率
小信號(hào)增益
最大線性輸出功率
1dB壓縮點(diǎn)輸出功率
誤差向量幅度（EVM）
相鄰信道功率比（ACPR）
噪聲系數(shù)
是否內(nèi)建功率檢測(cè)功能
是否內(nèi)建增益控制功能
供電電壓
消耗的電流

以上的這些參數(shù)，并不是在每顆功放芯片的Datasheet中都會(huì)完整給出，有些Datasheet只能給出部分參數(shù)。各項(xiàng)參數(shù)的意義想必大家都很清楚，我在這里就不做過(guò)多的解釋了。一個(gè)典型的功放芯片的Datasheet（片段）如下：
2.3-2.5GHz Operation
Single Positive Supply Voltage Vcc = 3.3V
Power Gain ~ 27dB
Quiescent Current ~ 90mA
EVM ~ -30dB at Pout = +19dBm
Total Current ~ 150mA for Pout = +19dBm
Pout ~ +26dBm for 11g OFDM Mask Compliance
Total Current ~220mA for Pout = +23dBm 1 Mbps DSSS
On-Chip Input Match
Simple Output Match
Robust RF Input Tolerance > +5dBm
Small & Low-Cost 3x3x0.9mm3 MLP Package
Cost Reduction over LX5510, LX5510B

從以上的敘述中我們了解到，這顆功放芯片的工作頻率是2.3-2.5GHz，采用3.3V單電源供電，靜態(tài)工作電流是90mA，19dBm功率輸出時(shí)，EVM的值是-30dB，等等。

功放芯片的性能很重要，當(dāng)然，在滿足性能的前提下，我們會(huì)選擇最便宜的

3.2. 功放芯片的供電