日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RFMicroDevices,Inc.（Nasdaq股市代號：RFMD）宣布，其將繼續努力，實現RF功率管理性能方面改進的新里程碑。RFMicroDevices正在開發基于平均功率跟蹤-(APT-)和包膜跟蹤-(ET-)的解決方案，這些解決方案將利用RFMD在功率放大器、RF功率管理和復合半導體方面的領導地位來實現有突破性的性能。

RFMD是RF功率管理方面的領導者，目前已銷售出數千萬個電源管理集成電路(PMIC)，其中大部分在RFMD的革命性PowerSmart®功率平臺上的RFConfigurablePowerCore™架構內。RFMD也是RF功率控制方面的先驅，目前已銷售出幾億個具有集成功率控制功能的功率放大器（RFMD的PowerStar®功率放大器和發射模塊）。RFMD預計，包膜跟蹤技術與RFMD的超級砷化鎵器件及技術的結合是一個顛覆性的整合，將大大提高RF性能的標準。

RFMD蜂窩產品組(CPG)總裁EricCreviston說：“RFMD在RF功率管理的技術研發方面處于領先地位。我們熱衷于實現基于APT和ET的解決方案。我們相信，功率管理技術（如平均功率跟蹤和包膜跟蹤）在智能手機中的重要性將不斷提升，這將使RFMD能夠充分利用我們在功率放大器和RF功率管理方面的綜合領導地位、并增加擴展我們RF產品份量的機會。”

關于RFMD

RFMicroDevices,Inc.（NasdaqGS股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者。RFMD實現全球移動性，提供加強的連接性，支持蜂窩手持設備、無線基礎設施、無線本地局域網(WLAN)、CATV/寬頻以及航空和國防應用的先進功能。RFMD半導體技術多樣化產品組合以及RF系統專業技術享有業界知名度，是全球頂尖移動設備、客戶終端設備以及通信設備提供商中的首選供應商。