[導(dǎo)讀]5G通信正在緊鑼密鼓地研發(fā)之中，而毫米波MIMO是其中關(guān)鍵技術(shù)之一。在目前大部分5G原型演示系統(tǒng)中，都采用了這種技術(shù)，而這種技術(shù)對(duì)于毫米波天線開(kāi)關(guān)也有著極為嚴(yán)苛的高標(biāo)準(zhǔn)。MACOM最新推出SMT封裝的MASW-011098毫米波天線開(kāi)關(guān)利用該公司專(zhuān)利的砷化鋁鎵(AlGaAs)技術(shù)工藝，為5G演示系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的單元件功率比；同時(shí)提供靈活的偏置選項(xiàng)，以確保更大的整體使用方便性。MASW-011098內(nèi)部的專(zhuān)利開(kāi)關(guān)技術(shù)在先進(jìn)的5G演示系統(tǒng)中支持?jǐn)?shù)以萬(wàn)計(jì)的發(fā)送/接收通道，使客戶能夠利用具有差異化，成本效益的5G系統(tǒng)架構(gòu)加快上市時(shí)間，從而在無(wú)線吞吐量方面取得突破性的進(jìn)步和容量。

5G是什么，有多快，距離我們還有多遠(yuǎn)

如果你生活在2017的中國(guó)，那么你很有可能正在使用4G的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。簡(jiǎn)單來(lái)講，5G就是4G的下一代通信技術(shù);復(fù)雜點(diǎn)現(xiàn)在不好講，因?yàn)橄啾?G通信的標(biāo)準(zhǔn)使用Long-Term Evolution Advanced (LTE-A),5G的標(biāo)準(zhǔn)還未落定，此時(shí)此刻各大公司和科研機(jī)構(gòu)正在為制定5G通信標(biāo)準(zhǔn)而日夜奮斗著。可以肯定的是，5G通信將大大提升通信速度和穩(wěn)定性。類(lèi)似于4G技術(shù)對(duì)于3G的提升一樣，只是提升的幅度將更大。5G通信在人類(lèi)生活中的重要性也將跨越式增長(zhǎng)。

圖、3GPP公布的5G Logo

那么5G到底有多快? 由于標(biāo)準(zhǔn)尚未制定所以無(wú)法解答。只能從目前公布的一些實(shí)驗(yàn)文件與采訪大致估計(jì)。三星實(shí)驗(yàn)速率為7.5Gbps，諾基亞宣稱(chēng)10Gbps，華為公司公布的速率為3.6Gbps。相比目前4G的最高速率300Mbps，速率至少增長(zhǎng)12倍。當(dāng)然這個(gè)速率是實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)，真正用戶體驗(yàn)速率還會(huì)受到各種局限：如基站分布、環(huán)境衰減、終端基帶硬件軟件處理性能等。作為參考，目前最新的基帶Modem為高通驍龍X20，采用可支持1.2Gbps的LTE Category 18，大約每秒可下載150M Bytes的數(shù)據(jù)。除了速率的提升之外，5G還將在另外一個(gè)領(lǐng)域?qū)τ脩趔w驗(yàn)進(jìn)行改善——降低延遲。高速率與低延遲還會(huì)帶來(lái)很多意想不到的好處，譬如無(wú)人駕駛、智能定位、語(yǔ)音識(shí)別、AR、VR和智能制造等應(yīng)用也將得益于高速率低延遲的實(shí)現(xiàn)。工信部表示將在2020年啟動(dòng)5G商用，2017年至2018年5G將在國(guó)內(nèi)開(kāi)始測(cè)試，2019年進(jìn)行預(yù)商用。ITU在2017年二月發(fā)布了一個(gè)文檔，對(duì)5G系統(tǒng)做了13項(xiàng)具體規(guī)范,其中包括：

· 20Gbps峰值下載速率
· 10Gbps峰值上傳速率
· 30bps/Hz峰值下行頻譜利用率
· 15bps/Hz峰值上行頻譜利用率
· 100Mbps用戶體驗(yàn)到的下載速率
· 50Mbps用戶體驗(yàn)到的上傳速率

圖、IMT-2020的目標(biāo)與當(dāng)前4G標(biāo)準(zhǔn)IMT-advanced對(duì)比

峰值速度看起來(lái)有點(diǎn)難度，但用戶體驗(yàn)到的速率則完全是可以實(shí)現(xiàn)的。

技術(shù)角度看5G：網(wǎng)絡(luò), 頻譜, 調(diào)制與天線

5G應(yīng)用的帶寬與延遲需求

直觀來(lái)講5G對(duì)于目前的通信技術(shù)主要在兩個(gè)技術(shù)參數(shù)進(jìn)行提升：

1. 速率(帶寬)
2. 延遲

以下是GSMA關(guān)于各種應(yīng)用的帶寬與延遲需求圖示：

圖、各種應(yīng)用的帶寬與延遲需求

據(jù)上圖可見(jiàn)，灰色部分的應(yīng)用：如無(wú)線云辦公、AR和無(wú)人駕駛這些應(yīng)用只有采用5G通信才能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的普及。

頻譜與提升覆蓋率的技術(shù)

5G究竟將使用哪個(gè)波段的載波?學(xué)術(shù)界、各大科研機(jī)構(gòu)和設(shè)備廠商正在在進(jìn)行廣泛的探索。從6GHz到300GHz的范圍都有相關(guān)的研究實(shí)驗(yàn)正在進(jìn)行。載波頻率越高，帶寬極限越大，同時(shí)覆蓋的范圍(受傳輸限制)越小。

圖、當(dāng)前研究較為熱門(mén)的幾個(gè)頻段

在6GHz或更高的頻段，波束形成技術(shù)(beam-forming)將被采用來(lái)解決覆蓋方面的挑戰(zhàn)。所謂波束技術(shù)，即是將無(wú)線信號(hào)定向指向終端。此技術(shù)也將導(dǎo)致5G的成本相對(duì)之前的技術(shù)而增高，每時(shí)每刻都需要數(shù)百個(gè)波束追蹤單個(gè)移動(dòng)終端使得基站的成本大幅提升。

圖、波束形成技術(shù)示意

MIMO(多入多出)也是被廣泛研究以提升帶寬的一種天線技術(shù)，這種技術(shù)采用大規(guī)模的天線陣列來(lái)提升帶寬，但這種技術(shù)目前仍有天線間互相產(chǎn)生射頻干擾的難題沒(méi)有完美解決。目前的研究焦點(diǎn)是將波束形成技術(shù)結(jié)合起來(lái)，使用軟件控制靈活調(diào)整天線的方向來(lái)解決。

圖、結(jié)合了波束形成技術(shù)的MIMO應(yīng)用示意

采用更高頻譜的出發(fā)點(diǎn)是更有效地利用頻段從而在實(shí)現(xiàn)更高帶寬與更低延遲的同時(shí)降低使用成本。但是正因?yàn)橐褂酶哳l段，所以目前使用的硬件都需要更新?lián)Q代，在初步實(shí)踐上卻是往增加成本方向發(fā)展。所以目前5G相關(guān)的研究中，盡快確定能夠有效利用波束形成與MIMO兩種技術(shù)的具體頻段是亟待解決的問(wèn)題。另外，新的頻段萬(wàn)一覆蓋不到的地方，也將使用低頻段的覆蓋進(jìn)行補(bǔ)充。類(lèi)似于目前偏遠(yuǎn)地區(qū)無(wú)法4G覆蓋而使用3G/2G進(jìn)行補(bǔ)充的做法。

圖、5G覆蓋不到使用低頻段進(jìn)行補(bǔ)充覆蓋

小于1ms的網(wǎng)絡(luò)延遲：如何實(shí)現(xiàn)與低延遲帶來(lái)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)改變

當(dāng)前的云計(jì)算的概念就是：數(shù)據(jù)在中心，終端通過(guò)基礎(chǔ)設(shè)施在任何地點(diǎn)任何時(shí)間來(lái)獲得數(shù)據(jù)與服務(wù)。但是考慮到5G網(wǎng)絡(luò)中的一些應(yīng)用關(guān)于小于1ms的延遲，這種結(jié)構(gòu)不能滿足需求。即使從現(xiàn)在到5G大規(guī)模應(yīng)用的期間，計(jì)算設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都繼續(xù)以摩爾定理飛速發(fā)展。但是有一個(gè)極限目前沒(méi)法跳過(guò)：就是光纖中光的傳播速度。所以目前的研究結(jié)論是，如果要使5G網(wǎng)絡(luò)中的<1ms延時(shí)成為現(xiàn)實(shí)，那么數(shù)據(jù)與用戶的距離要小于1千米。也就是你的最近的一個(gè)基站需要緩存所要的數(shù)據(jù)與服務(wù)，這一特性使得此類(lèi)應(yīng)用的成本將非常高。而對(duì)于社交類(lèi)的應(yīng)用，關(guān)于用戶數(shù)據(jù)的基站間漫游管理，目前的技術(shù)也需要根本性改變。拿著手機(jī)刷微博，那么經(jīng)過(guò)的每個(gè)基站可能都需要同步一份個(gè)人資料、所有微博、評(píng)論、點(diǎn)贊，而不是在需要的時(shí)候找中心要數(shù)據(jù)。極端情況下所有的運(yùn)營(yíng)商都將共用一個(gè)網(wǎng)絡(luò)，所有內(nèi)容都在這個(gè)網(wǎng)絡(luò)中，不然不能滿足小于1ms的網(wǎng)絡(luò)延遲要求。

5G系統(tǒng)中的核心器件：RF天線開(kāi)關(guān)與其應(yīng)用舉例

如上述所言，載波聚合、波束形成、MIMO是5G射頻系統(tǒng)中重要的技術(shù)。而這些技術(shù)的應(yīng)用都離不開(kāi)一個(gè)關(guān)鍵器件——RF天線開(kāi)關(guān)。普通的開(kāi)關(guān)用小按鈕;稍稍高頻(幾十MHz，幾百M(fèi)Hz)的開(kāi)關(guān)用三極管、FET管搭建;如果頻率到了幾G幾十G的范圍，那么一般情況使用PIN二極管來(lái)做的開(kāi)關(guān)。關(guān)于PIN二極管的詳細(xì)在下文討論，與普通開(kāi)關(guān)類(lèi)似，RF天線開(kāi)關(guān)的種類(lèi)也可以使用端子數(shù)目來(lái)分類(lèi)：

圖、天線開(kāi)關(guān)的一些常見(jiàn)類(lèi)型

此處列幾個(gè)天線開(kāi)關(guān)的應(yīng)用實(shí)例以說(shuō)明RF天線開(kāi)關(guān)的一些應(yīng)用。

手機(jī)終端的天線開(kāi)關(guān)應(yīng)用

下圖是我們目前使用的手機(jī)中的RF天線開(kāi)關(guān)，可以看出應(yīng)用場(chǎng)合大致三種：主開(kāi)關(guān)，3G/4G切換開(kāi)關(guān)，接收器信號(hào)復(fù)用開(kāi)關(guān)。

圖、手機(jī)中的RF天線開(kāi)關(guān)

載波聚合中的天線開(kāi)關(guān)應(yīng)用

圖、載波聚合示意

波束形成技術(shù)中的天線開(kāi)關(guān)應(yīng)用

下圖為復(fù)合使用了MIMO的波束形成技術(shù)的系統(tǒng)組成。

圖、波束形成技術(shù)的系統(tǒng)組成

詳細(xì)看，其中的天線開(kāi)關(guān)應(yīng)用如下：

圖、波束形成技術(shù)中天線開(kāi)關(guān)應(yīng)用示例

高頻天線開(kāi)關(guān)市場(chǎng)上的主要廠家

業(yè)界稱(chēng)此市場(chǎng)為Monolithic Microwave ICs (MMIC)。目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品按照工藝主要分為以下幾類(lèi)：

· GaAs 包括AlGaAs
· GaN 包括GaN-Si, GaN-SiC
· Si/SiGe 包括CMOS,LDMOS等
· 其他

重要的供應(yīng)商如下：

· MACOM
· ON Semiconductor
· OMMIC
· Qorvo(由TriQuint與RF Micro Device合并而來(lái))
· Analog Devices
· Infineon (包括收購(gòu)的IR)
· WIN Semiconductors
· Murata
· Mitsubishi
· Keysight
· Microsemiconductor
· Qualcomm(包括收購(gòu)的NXP /Freescale)
· Kyocera
· Toshiba

MACOM的毫米波天線開(kāi)關(guān)新品MASW-011098

業(yè)界領(lǐng)先的無(wú)線射頻廠商MACOM近日推出了用于5G系統(tǒng)的毫米波天線開(kāi)關(guān)MASW-011098，這里對(duì)這個(gè)器件的應(yīng)用與性能參數(shù)做一些簡(jiǎn)介。此器件使用AlGaAs工藝制造，在這里我們同時(shí)使用另外一個(gè)使用Si材料制作的類(lèi)似產(chǎn)品(ADRF5020)做參數(shù)上的一些對(duì)比以展示兩種材料的類(lèi)似產(chǎn)品的參數(shù)的一些差別。下文以M器件與A器件分別指代以方便討論。

M器件主要應(yīng)用于26GHz-40GHz的頻段，所以也稱(chēng)毫米波段射頻開(kāi)關(guān)或者Ka波段射頻開(kāi)關(guān)。根據(jù)MACOM的官方文檔，此器件主要的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?8GHz，37GHz 與39GHz 的5G射頻系統(tǒng)。

A器件的功能類(lèi)似，但是頻率范圍為100MHz-30GHz。這是由于材料工藝上的局限，Si材料的射頻開(kāi)關(guān)在工作頻率上并不能覆蓋目前所有5G所可能使用的頻段。

首先看兩者功能Block：

圖、M器件功能Block

圖、A器件功能Block

根據(jù)上圖所示，M器件的基本功能就是一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)。RFcommon為公共端，通過(guò)偏置控制腳來(lái)選擇公共端的信號(hào)與RF1或者RF2連接。注意其中電阻電容均為等效電路，實(shí)際的器件為AlGaAs工藝的PIN二極管。

A器件與之類(lèi)似，所不同的是由于使用CMOS工藝制作，可以通過(guò)CMOS/TTL信號(hào)直接控制。而M器件需要額外增加直流偏置的方式來(lái)控制。

兩器件控制真值表：

圖、MASW-011098真值表

圖、A器件的控制真值表

兩器件的基本參數(shù)如下：

下面著重看看兩器件的幾個(gè)重點(diǎn)參數(shù)曲線。

插入損耗(開(kāi)啟):

圖、M器件的插入損耗

圖、A器件的插入損耗

插入損耗是指器件在射頻回路中對(duì)信號(hào)的損耗作用，此參數(shù)的絕對(duì)值越小越好。從上圖可以看出此器件在22GHz至40GHz之間插入損耗穩(wěn)定在-1dB左右。假設(shè)回路插入此器件之前的信號(hào)功率為PT，插入此器件之后的信號(hào)功率為PR，那么插入損耗的計(jì)算公式如下：

圖、插入損耗公式

注意：有些地方將PR與PT倒過(guò)來(lái)計(jì)算，MACOM的Datasheet經(jīng)常兩種方法混著使用。但是總而言之我們希望PT與PR比例越接近1越好，如此IL的絕對(duì)值也就越小。

假設(shè)按照典型損耗1.3 dB來(lái)計(jì)算：

PR = PT*0.74

假設(shè)按照典型損耗2.0 dB來(lái)計(jì)算：

PR = PT*0.63

隔離度(關(guān)斷):

圖、M器件的隔離度

圖、A器件的隔離度

隔離度這個(gè)參數(shù)好理解，就是開(kāi)關(guān)關(guān)閉之后引腳之間的相關(guān)性。比如RF1與RFcommon相連之后，RF2與RFcommon信號(hào)的耦合的一個(gè)衡量參數(shù)。這個(gè)參數(shù)絕對(duì)值越大越好，這個(gè)參數(shù)越大表明關(guān)斷之后兩個(gè)引腳的信號(hào)耦合度越小。從上圖可以看出在M器件的設(shè)計(jì)工作頻段中，隔離-40dB左右。對(duì)于如此高頻信號(hào)來(lái)講此參數(shù)非常優(yōu)秀了。而A器件因?yàn)楣ぷ黝l率較低，隔離可以達(dá)到60 dB甚至更高。但工作頻率不同不能相提并論，這里只是提供參考。

回波損耗：

圖、M器件的回波損耗

圖、A器件的回波損耗

回波損耗與插入損耗類(lèi)似，回波損耗是指的插入該器件后其對(duì)反射回去信號(hào)的損耗度。因?yàn)榉瓷浠厝サ男盘?hào)是不被希望的，所以反射越少越好，這樣希望回波損耗越大越好。計(jì)算公式跟插入損耗計(jì)算類(lèi)似。這個(gè)參數(shù)可以簡(jiǎn)單理解為器件對(duì)產(chǎn)生的反射的抑制或者衰減程度。

圖、回波損耗公式

上面公式中，Pi是產(chǎn)生的入射功率，Pr是實(shí)際反射回去的功率。跟插入損耗一樣，MACOM也混著使用Pi/Pr或者Pr/Pi。所以這個(gè)參數(shù)有時(shí)正有時(shí)負(fù)，只是絕對(duì)值越大越好。影響這個(gè)參數(shù)的主要因素是駐波比和材料的反射常數(shù)。

總體來(lái)講，M器件使用AlGaAs工藝，能在7W的功率提供類(lèi)似于0.25W功率的CMOS工藝的產(chǎn)品的射頻性能，使得其適合應(yīng)用在基站類(lèi)的場(chǎng)合。而CMOS工藝的A產(chǎn)品因?yàn)楣β省㈩l率的因素，適合于應(yīng)用終端類(lèi)的場(chǎng)合。CMOS工藝的產(chǎn)品目前成本較低，且能使用TTL/CMOS電平來(lái)控制，但是由于工藝上先天性的缺陷使得其會(huì)逐漸被AlGaAs，GaN這樣材料工藝的器件替代。

RF天線開(kāi)關(guān)：PIN二極管，硅(Si)，砷化鎵(GaAs)與砷化鋁鎵(AlGaAs)

PIN二極管

如前所述，目前5G的核心依舊在于新型的無(wú)線接口。目前研究的重點(diǎn)頻段在26GHz-40GHz，也就是所謂的Ka波段。2016年7月14日，美國(guó)的FCC為5G批準(zhǔn)的頻段正是28GHz, 37GHz和39GHz。

此處簡(jiǎn)介一下Ka頻段的核心器件：PIN二極管天線開(kāi)關(guān)。無(wú)論是波束形成還是MIMO都離不開(kāi)這個(gè)器件。到目前為止的低頻射頻系統(tǒng)的天線開(kāi)關(guān)主要采用的硅工藝的PIN(也稱(chēng)為正-本-負(fù))二極管，但是新型的GaAs與AlGaAs的器件與硅工藝的產(chǎn)品有顯著的優(yōu)點(diǎn)(與缺點(diǎn))。這里先介紹一下子PIN二極管。

圖、PIN二極管示意圖

跟一般的二極管不同的是，PIN二極管故意把i區(qū)也就是本征區(qū)做得很寬。這樣做的結(jié)果是此二極管如果被用作一般的低頻線路，其特性會(huì)變?nèi)趸５窃诟哳l線路中，PIN二極管是目前性能最好的天線開(kāi)關(guān)器件。原因在于導(dǎo)通時(shí)其等效為一個(gè)電感加一個(gè)電阻，關(guān)斷時(shí)其表現(xiàn)為一個(gè)電感+電阻+電容(某些文檔會(huì)把電感省去以方便討論)。除了用于高頻開(kāi)關(guān)之外，還有用于光電感應(yīng)。但此處僅僅討論它作為高頻開(kāi)關(guān)的特性。

它的特性主要由本征區(qū)的寬度來(lái)決定。假設(shè)i區(qū)寬度為W。

前向?qū)〞r(shí)的等效電路：

圖、前向?qū)ǖ刃щ娐?/p>

公式：

圖、前向?qū)ü?/p>

其中：

Q為電荷，單位為庫(kù)倫，W為本征區(qū)寬度，單位為微米，Un和Up分別為電子與空穴的移動(dòng)常數(shù)。L為寄生電感，一般<1nHy。此公式在f>(1300/(W*W))MHz時(shí)候成立。

零或者負(fù)偏置時(shí)的等效電路：

圖、關(guān)斷時(shí)的等效電路

公式：

圖、關(guān)斷時(shí)公式

其中e是材料的介電常數(shù)，A為節(jié)點(diǎn)橫截面積，W依然為本征區(qū)寬度。

此公式在f>(1/2*Pi*p)時(shí)候成立，低于此頻率時(shí)PIN表現(xiàn)為一個(gè)變?nèi)荻O管。其中Pi為圓周率，p為本征區(qū)的電阻。Rp與偏置電壓成正比，與頻率成反比，一般實(shí)際應(yīng)用電路終此電阻因?yàn)檫h(yuǎn)高于Ct產(chǎn)生的阻抗而可以不計(jì)。

GaAs制作的PIN與Si材料PIN優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比

Si材料的PIN作為老牌的開(kāi)關(guān)器件材料，在無(wú)線系統(tǒng)中做開(kāi)關(guān)已經(jīng)很多年了。但是隨著頻率的提升，Si材料開(kāi)始體現(xiàn)出一些局限性能。這些局限性體現(xiàn)在納秒級(jí)的所謂“快速”PIN二極管上。局限的原因在于從關(guān)斷轉(zhuǎn)至導(dǎo)通而需要消除的電荷的載流子的速度。本征區(qū)越窄，電荷越少，也就越快，但同時(shí)要保持一個(gè)30-100V的擊穿壁壘電壓，本征區(qū)又必須保持一定寬度。

優(yōu)點(diǎn)

· GaAs材料的本征帶隙比Si材料要高。意味著同等擊穿電壓的GaAs工藝PIN能夠使用更薄的本征區(qū)。也就是說(shuō)能有更快的開(kāi)關(guān)速度。同時(shí)此特性還能使得GaAs的PIN擁有更高的阻抗(即在低的前向偏置電壓下?lián)碛懈‰娙?，故此能夠使用一般的TTL電路來(lái)直接驅(qū)動(dòng)。因?yàn)門(mén)TL電平的低允許有0.2-0.3V的偏置，這個(gè)偏置如果直接接在Si材料的PIN，那么會(huì)使得該P(yáng)IN導(dǎo)通或者部分導(dǎo)通，從而使得關(guān)斷不完全，也就是降低了關(guān)斷阻抗。

· GaAs材料具有直接的少數(shù)載流子躍遷復(fù)合。此特性使得載流子的“壽命”被局限在10納秒內(nèi)。此“壽命”越短，也就意味著越快的電荷消除速度。

缺點(diǎn)

· GaAs材料的光生壽命是Si的100分之一到50分之一。可用的擴(kuò)散區(qū)長(zhǎng)度也是Si的100分之一到50分之一。這一特性使得GaAs材料的PIN的本征區(qū)厚度的最高極限大大降低。目前實(shí)際能夠使用的GaAs的最高擊穿電壓只能做到150到250V。用Si材料可以做到4000到6000V。

· GaAs材料的熱阻大約是Si的三倍。使得GaAs材料的PIN的耗散功率因之被限制。

要指出的，目前在一般的RF應(yīng)用中，反向電壓與耗散功率并沒(méi)有超過(guò)GaAs的這些局限。

兩種材料的根本差別是載流子的躍遷復(fù)合方式，Si主要通過(guò)阱，GaAs主要通過(guò)直接復(fù)合。 直接復(fù)合的速度明顯要更快一些。

AlGaAs與GaAs

AlGaAs與GaAs的晶格常數(shù)非常類(lèi)似，但是帶隙又增加了，故此相同擊穿電壓的PIN，AlGaAs材料的能夠做更窄的本征區(qū)以獲得更高的開(kāi)關(guān)速度。另外根據(jù)研究證明，AlGaAs工藝的PIN在高頻時(shí)插入損耗更低。由于這兩者屬于類(lèi)似的產(chǎn)品，此處不多展開(kāi)討論。

除此之外，PIN的常用的制作材料還有GaN，SiGe，Si等等幾種以及其變種。

圖、常見(jiàn)的幾種PIN制作材料以及它們?cè)贛IMO應(yīng)用中的性能

由圖可知，GaN是目前最好的PIN的制作材料，但是目前價(jià)格較貴而且還有一些專(zhuān)利糾紛正在進(jìn)行，故此目前應(yīng)用還不廣泛。除此之外，GaAs算是性能價(jià)格能找到平衡的目前最好的材料。AlGaAs是GaAs的一種改良型變種。性能最差的就是Si材料的也就是所謂的CMOS工藝。但是由于成本最低，在對(duì)性能不那么嚴(yán)苛的條件下也是可以使用的。

總結(jié)與展望

5G通信關(guān)鍵技術(shù)取得持續(xù)進(jìn)展，應(yīng)該說(shuō)基礎(chǔ)架構(gòu)已經(jīng)完成。現(xiàn)在還在探索的是已經(jīng)是工程實(shí)踐中的一些細(xì)節(jié)。隨著MACOM為代表的基礎(chǔ)器件廠商，華為高通為代表的基礎(chǔ)設(shè)備廠商的聯(lián)合運(yùn)營(yíng)商集體發(fā)力推進(jìn)，可以預(yù)見(jiàn)5G的大規(guī)模應(yīng)用將很快到來(lái)。至少在中國(guó)的大城市，很有可能2020年之前就有成熟的網(wǎng)絡(luò)可以供用戶使用。

參考文章,鏈接與資源

1. http://www.trustedreviews.com/news/ces-las-vegas-2017-news-highlights-rumours-dates-schedule-preview .
2. R. Caverly and G. Hiller, “Establishing the Minimum Reverse Bias for a PIN Diode in a High Power Switch,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.38, No.12, December 1990 .
3. https://www.gsmaintelligence.com/research/?file=141208-5g.pdf&download .
4. “5G White Paper”, Next Generation Mobile Networks (NGMN) Alliance, March 2015. Available at http://ngmn.org/home.html
5. “Waveform contenders for 5G - OFDM vs. FBMC vs. UFMC”, F. Schaich, T. Wild, Alcatel-Lucent, 6th International Symposium on Communications, Control and Signal Processing(ISCCSP), May 2014.
6. “What will 5G be?” J. Andrews, S. Buzzi, W. Choi, S. Hanly, A. Lozano, A. Soong, J. Zhang, IEEE Journal On Sel. Areas in Comm., Vol. 32, No. 6, June 2014.
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9. “Channel coding with multilevel/phase signals,” G. Ungerboeck, IEEE Transactions on Information Theory, Vol 28, Issue 1, 1982.
10. https://www.macom.com/products/product-detail/MASW-011098.