比利時(shí)EpiGaN公司主要生產(chǎn)功率開關(guān)、射頻和傳感器用的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延晶圓，該公司是歐盟在2018年1月份啟動(dòng)的為期36個(gè)月的歐盟研究項(xiàng)目SERENA（硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺(tái)）的重要成員。

SERENA項(xiàng)目成員

該項(xiàng)目成員共有十個(gè)主要的工業(yè)和學(xué)術(shù)合作伙伴：包括奧地利TECHNIKON GmbH（項(xiàng)目負(fù)責(zé)單位）、瑞典愛立信AB、英飛凌科技奧地利AG、比利時(shí)EpiGaN NV、法國Ommic SAS、瑞典國防研究局、德國弗勞恩霍夫應(yīng)用研究協(xié)會(huì)、希臘通信與計(jì)算機(jī)研究所系統(tǒng)、瑞典查爾姆斯理工大學(xué)和德國柏林工業(yè)大學(xué)。

SERENA項(xiàng)目目的

SERENA項(xiàng)目旨在為毫米波多天線陣列開發(fā)波束形成系統(tǒng)平臺(tái)，并實(shí)現(xiàn)超越主流CMOS集成的混合模擬/數(shù)字信號(hào)處理架構(gòu)的功能性能。

SERENA項(xiàng)目的目標(biāo)是用于優(yōu)化毫米波多天線陣列系統(tǒng)的功率效率和成本的概念驗(yàn)證原型。該架構(gòu)將適用于廣泛的應(yīng)用場景，例如安全雷達(dá)、高速無線通信以及用于5G和自主車輛的成像傳感器等，所有這些應(yīng)用都依賴于有源天線陣列和電子束控制。根本挑戰(zhàn)是以可行的價(jià)位和低能耗為毫米波應(yīng)用生產(chǎn)高性能天線系統(tǒng)。

EpiGaN公司GaN外延技術(shù)

SERENA將基于GaN-on-Si技術(shù)和封裝技術(shù)的突破，該GaN外延技術(shù)將由EpiGaN公司提供。該公司技術(shù)憑借其原位SiN蓋層提供了優(yōu)秀的表面鈍化和器件可靠性。此外，還可以在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)硅基CMOS生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)無污染處理。原位SiN結(jié)構(gòu)可以使用純和超薄氮化鋁（AlN）層作為阻擋材料。通過減少短溝道晶體管效應(yīng)實(shí)現(xiàn)毫米波性能。

EpiGaN首席執(zhí)行官M(fèi)arianne Germain博士表示：“RF-GaN技術(shù)比現(xiàn)有的LDMOS或GaAs技術(shù)具有更重要的性能優(yōu)勢，如更大的帶寬和更高的能效。我們的硅基GaN技術(shù)可提供出色的功率密度和功率附加效率（PAE），卓越的增益以及低至100GHz的射頻損耗。通過專門針對毫米波設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體技術(shù)，我們的客戶能夠?yàn)槎喾N射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)卓越和差異化的器件性能。”

GaN技術(shù)是5G關(guān)鍵技術(shù)

GaN是實(shí)現(xiàn)5G無線通信的關(guān)鍵因素，5G需要異常高速的多媒體流、虛擬現(xiàn)實(shí)、M2M或自動(dòng)駕駛連接。EpiGaN指出，完全開發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）將需要更低的延遲并提升頻譜和能源效率。為了滿足這些應(yīng)用需求，5G系統(tǒng)需要依靠諸如GaN等新型半導(dǎo)體技術(shù)來推動(dòng)這些創(chuàng)新。