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美國SBA材料公司開展超低介電常數材料研究

2016-01-08 來源:國防科技信息網 字號:

在第12屆年度3D先進半導體集成和封裝(ASIP)會議上,SBA材料公司總裁兼首席執行官Hash Pakbaz做了最后陳述,SBA材料公司公司是納米和介孔材料的半導體制造和其他應用開發商。

Hash Pakbaz首先就他對芯片封裝技術的缺乏道歉,然后介紹了使用他在硅谷初創公司獲得液相自組裝技術專利設計的硅氧烷基材料。

SBA材料公司總部位于加利福尼亞州圣何塞市,具有令人印象深刻的投資折陣容- 英特爾投資公司(兩年內通過三輪投資)、三星風險投資公司、法國液化空氣集團風險投資、東京電子創投、羅克·漢金、威廉·庫克(該公司的創始人之一及前任CEO)、南十字星創投和太陽山資本。SBA材料公司風險投資超過四輪,但沒有透露風險投資總額。

Pakbaz在3D ASIP會議上說,十多年前低介電常數(K)的材料首次被人們熟悉,半導體產業技術朝著7納米芯片制造方向發展,將涉及到低k值材料的集成。

SBA公司的目標是“維持現有組合物”和“避免隨機孔隙”。借助激光粒度分析(LPSA)技術,該公司可以穩定的提供低k值材料。

據Pakbaz介紹,該低K值薄膜旋涂在襯底上,然后在150℃下進行軟烘烤。由此產生的薄膜厚度變化范圍為60nm~2μm。Pakbaz斷言,SBA公司的這種材料很好,沒有瑕疵,性能相當穩定。

雖然SBA公司的超低K值先進電子材料主要用于芯片制造后道工序和封裝,但Pakbaz在發布會上稱其應用領域不限于后道工序。

去年加入SBA公司董事會的美國三星風險投資公司副總統金東蘇在一份聲明中說“我們看到了LPSA材料平臺的重大應用潛力,不僅可用于半導體,還有其他各種應用,包括顯示器。”

SBA公司在日本制造材料,同時與比利時校際微電子中心(IMEC)及德國弗勞恩霍夫研究所共同發展超低k材料。(工業和信息化部電子科學技術情報研究所 張慧)

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