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國民技術:TD-LTE射頻芯片前景可期

2014-01-03 來源:微波射頻網 字號:

國民技術近日發(fā)布年報表示,受U盾單價及毛利潤下滑影響,盡管銷售數(shù)量同比上升,但收入略有下滑,公司2012年報表稍顯黯淡,不過報告稱,公司支持多模多頻段的TD-LTE終端射頻芯片已經開始量產,并對中移動小批量出貨。分析人士認為,隨著4G建設的推進,公司有望獲得更多訂單。

據(jù)了解,公司目前還承擔2013年國家重大專項“面向TD-CDMA/TD-LTE/TD-LTE-Advanced的多模終端射頻功率放大器(PA)芯片研發(fā)”,正在研發(fā)高效率的WCDMA PA系列。

國民技術是工信部TD-LTE 工作組成員、中國移動4G 合作伙伴,并通過了中國移動以及電信研究院組織的TD-LTE 研發(fā)技術試驗和規(guī)模技術試驗。公司TD-LTE 射頻芯片具備技術領先等多項優(yōu)勢,能夠適應TD-LTE 多頻段的特點,尤其是在政務專網市場具有優(yōu)勢。借助射頻芯片的優(yōu)勢,公司也開發(fā)了相關的終端設備產品。在中國移動2013 年第二季度TD-LTE 終端集采中,公司中標MIFI 模組且排名居前。但由于中國移動采購總量有限,該產品對公司2012年業(yè)績貢獻不大。

國民技術表示,未來,公司將充分把握4G 發(fā)展的機遇,繼續(xù)以開放的態(tài)度與LTE 產業(yè)鏈各廠家緊密配合,開發(fā)支持多模多頻段、低功耗、高速率的LTE 終端產品。

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