RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務(wù)內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。

RFMD將提供針對高功率、低噪聲和 RF 切換產(chǎn)品而優(yōu)化的三種不同 GaAs pHEMT 技術(shù)。RFMD的0.3微米 pHEMT 技術(shù)可提供高功率，并針對 X-band 相位式數(shù)組功率放大器(PA)和8-16 GHz的寬帶軍事電子戰(zhàn)干擾器而優(yōu)化。

RFMD的0.25微米 pHEMT 技術(shù)可提供低噪聲、中功率、高線性度，鎖定之應(yīng)用包括低噪聲前端和發(fā)射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技術(shù)則提供低噪聲和射頻訊號高線性切換，是專為無線前端和發(fā)射/接收模塊應(yīng)用而設(shè)計。

RFMD目前提供Foundry Services的客戶北卡羅來納州格林斯博羅晶圓廠的兩項 RFMD的氮化鎵(GaN) 制程技術(shù)，分別為鎖定高功率應(yīng)用的 GaN1 與鎖定高線性度應(yīng)用的 GaN2 。RFMD并提供一個整合式被動組件(IPC)技術(shù)優(yōu)化來配合高功率應(yīng)用。RFMD的先進 GaAs pHEMT 技術(shù)與其氮化鎵技術(shù)，和其他電源半導體技術(shù)互補，以設(shè)計多芯片模塊(MCM)。

RFMD Foundry Services事業(yè)部的成立，旨在為外部晶圓代工客戶提供實時的高可靠性、高性能和具價格競爭力的制程制程技術(shù)。所有的制程技術(shù)都是由RFMD位于英國的Newton Aycliffe 廠制造，讓RFMD Foundry Services 客戶可透過簡易的歐洲進/出口管制，取得歐洲技術(shù)的方式。
 
關(guān)于 RFMD
 
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代碼：RFMD）堪稱在高性能半導體元件的設(shè)計與制造方面的全球領(lǐng)先廠商之一。 RFMD 的產(chǎn)品可實現(xiàn)全球移動性，提供更高的連接能力，以及支持蜂窩手機、無線基礎(chǔ)設(shè)備、無線局域網(wǎng) (WLAN)、有線電視網(wǎng)絡(luò)、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術(shù)以及RF 系統(tǒng)專業(yè)技能而得到業(yè)界的認可，并且是受全球領(lǐng)先移動終端及通訊設(shè)備制造商所青睞的供應(yīng)商。
 
RFMD 總部位于北卡羅來納、格林斯博羅，是一家在全球擁有工程、設(shè)計、銷售及服務(wù)機構(gòu)的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為 RFMD。有關(guān)更多信息，請訪問 RFMD 網(wǎng)站：www.rfmd.com。