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?三星正在研究下一代半導(dǎo)體材料

2020-07-09 來源:三星電子 字號:

7月6日,三星電子宣布,三星高級技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)、劍橋大學(xué)兩家高校合作,發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN)的新材料,此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。

三星指出,最近,SAIT一直在研究二維(2D)材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā)。具體而言,該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā),并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果,例如開發(fā)新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發(fā)石墨烯外,SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。

“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性,半導(dǎo)體襯底上的晶圓級石墨烯生長應(yīng)在低于400°C的溫度下進(jìn)行。”SAIT的石墨烯項(xiàng)目負(fù)責(zé)人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin表示。“我們還在不斷努力,將石墨烯的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域。”

?三星正在研究下一代半導(dǎo)體材料

Source:三星

新聞稿指出,新發(fā)現(xiàn)的材料稱為非晶氮化硼(a-BN),由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯,其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子,但實(shí)際上a-BN的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯具有獨(dú)特的區(qū)別。

非晶氮化硼具有超低介電常數(shù),僅1.78,具有強(qiáng)大的電氣和機(jī)械性能,可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。同時(shí)也證明了該材料可以在400°C的低溫下以晶圓級生長。因此,預(yù)計(jì)非晶氮化硼將廣泛應(yīng)用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體,尤其是在用于大型服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中。

“最近,人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是,將材料應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝仍然存在許多挑戰(zhàn)。”SAIT副總裁兼無機(jī)材料實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Park Seongjun Park說。“我們將繼續(xù)開發(fā)新材料來引領(lǐng)半導(dǎo)體范式的轉(zhuǎn)變。”

文稿來源:三星電子

主題閱讀: 半導(dǎo)體材料
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