7月6日，三星電子宣布，三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)、劍橋大學(xué)兩家高校合作，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN)的新材料，此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。

三星指出，最近，SAIT一直在研究二維（2D）材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā)。具體而言，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā)，并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果，例如開發(fā)新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發(fā)石墨烯外，SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。

“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性，半導(dǎo)體襯底上的晶圓級(jí)石墨烯生長(zhǎng)應(yīng)在低于400°C的溫度下進(jìn)行。”SAIT的石墨烯項(xiàng)目負(fù)責(zé)人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin表示。“我們還在不斷努力，將石墨烯的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域。”

Source：三星

新聞稿指出，新發(fā)現(xiàn)的材料稱為非晶氮化硼（a-BN），由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子，但實(shí)際上a-BN的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯具有獨(dú)特的區(qū)別。

非晶氮化硼具有超低介電常數(shù)，僅1.78，具有強(qiáng)大的電氣和機(jī)械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。同時(shí)也證明了該材料可以在400°C的低溫下以晶圓級(jí)生長(zhǎng)。因此，預(yù)計(jì)非晶氮化硼將廣泛應(yīng)用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體，尤其是在用于大型服務(wù)器的下一代存儲(chǔ)器解決方案中。

“最近，人們對(duì)2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是，將材料應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝仍然存在許多挑戰(zhàn)。”SAIT副總裁兼無機(jī)材料實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Park Seongjun Park說。“我們將繼續(xù)開發(fā)新材料來引領(lǐng)半導(dǎo)體范式的轉(zhuǎn)變。”

文稿來源：三星電子