美國麻省理工學院發布消息稱，該校一個研究團隊開發出一種新材料，可集成在硅基芯片上進行光通信，從而比導線信號傳輸具有更高的速度和更低的能耗。該成果發布在最新出版的《自然·納米技術》期刊上。

這種新材料為二碲化鉬，是近年來引人關注的二維過渡金屬硫化物的一種。這種超薄結構的半導體可以集成在硅基芯片上，并可以在電極作用下發射或接收光信號。傳統上，砷化鎵是良好的光電材料，但很難與硅基材料兼容。此外，傳統的光電材料發出的光信號在可見光頻段，易被硅材料吸收；而二碲化鉬可發射紅外光，不易被硅吸收，因此適合在芯片上進行光通信。

目前，這一技術處于概念驗證階段，距離實用還有一定距離。研究團隊還在關注其它可集成在硅基芯片上的超薄材料（如黑磷等）在光通信領域的應用。通過改變黑磷材料堆積的層數，可以調節其所發射光信號的波長，從而與目前主流的光通信技術兼容。