中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心，在自然科學(xué)基金、中科院項(xiàng)目的支持下，經(jīng)過(guò)努力探索，制備成功RF MEMS振蕩器。

基于微納諧振器的MEMS振蕩器，具有高頻、高品質(zhì)因子（>103），可與IC電路在同一芯片集成，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，在軍民兩用高技術(shù)領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。

半導(dǎo)體所成功制作了高性能全硅MEMS振蕩器，基頻達(dá)149MHz，高階頻率達(dá)868MHz，大氣中品質(zhì)因子>8000，相位噪聲在1kHz達(dá)到-68dBc/Hz，10kHz達(dá)到-95 dBc/Hz，短期頻率穩(wěn)定度小于±1 ppm，中期頻率穩(wěn)定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振蕩器比石英晶振在性能、體積和生產(chǎn)成本方面明顯占優(yōu)，更符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)。

全球時(shí)脈市場(chǎng)規(guī)模達(dá)50億美元，目前MEMS振蕩器市場(chǎng)占有率在4%以下，但預(yù)估2013～2015年，將有高達(dá)100%的年增長(zhǎng)率。