SP4T開關可為混合波束成形系統(tǒng)提供業(yè)界領先的性能

村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi® Corporation擴大旗下RF SOI開關產(chǎn)品組合，旨在為最新的5G無線基礎設施建設項目和大規(guī)模MIMO基站部署項目提供支持。通過在混合波束成形架構拓撲中使用新型的高線性度開關，基站設計人員可以節(jié)省電路板上寶貴的空間并改善系統(tǒng)熱耗散，降低整套系統(tǒng)的成本、重量和功耗。pSemi先進的SP4T開關可提供同類產(chǎn)品最佳的線性度、插入損耗和功率處理性能，從而提高sub-6 GHz有源天線系統(tǒng)的頻譜效率。

sub-6 GHz頻段的5G基站有助于網(wǎng)絡提供商快速便捷地增加帶寬和提高數(shù)據(jù)吞吐量。鑒于3-5 GHz頻段頻譜的最新分配以及天線設計復雜度的增加，人們需要使用全新的混合波束成形和移相拓撲架構。大規(guī)模MIMO系統(tǒng)采用混合架構，以最大限度地降低高能耗數(shù)字處理需求和減少功率放大器組件的數(shù)量。這些混合架構可在數(shù)字和模擬之間實現(xiàn)絕佳平衡，因而既能獲得數(shù)字波束成形的靈活性，又能受益于模擬射頻前端（RFFE）的功率效率和簡單設計。

采用兩個背靠背pSemi SP4T開關選擇不同的移相步進，使混合波束成形架構中使用的模擬波束控制成為可能。這種移相拓撲架構可高效改善有源天線系統(tǒng)中的天線波束控制方式。

pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示：“有源天線系統(tǒng)正在推動RFFE組件需求急劇增長，同時對先進5G網(wǎng)絡的FR1開關性能要求也越來越高。作為射頻和毫米波開關領域的行業(yè)領導者，pSemi將繼續(xù)推動SOI技術的發(fā)展，并設計射頻集成電路解決方案，為基站基礎設備制造商提供支持，滿足5G及更先進網(wǎng)絡的需求。”

高線性度射頻開關的特點和優(yōu)勢

支持1.8-5 GHz頻率范圍的每個UltraCMOS® PE42443和PE42444開關在n41、n77、n78和n79頻段均提供業(yè)界領先的射頻性能。PE42443（需正負電源電壓供電）和PE42444（僅需正電源電壓供電）采用4 x 4 mm LGA封裝，可設計成管腳到管腳兼容配置。

•  頻譜效率高——高線性度和高功率處理，可最大限度地提高數(shù)據(jù)吞吐量。

•  節(jié)能——低插入損耗可提高整體系統(tǒng)效率。

•  波束管理靈活——開關速度快，可支持符號級模擬波束調整，便于設計實現(xiàn)大規(guī)模MIMO系統(tǒng)。

更多信息

欲了解更多與這些高線性度開關相關的信息，請聯(lián)系 pSemi團隊。

關于pSemi

pSemi Corporation隸屬于村田，致力于推動半導體集成。pSemi以Peregrine Semiconductor 長達30年的技術傳承以及強大的知識產(chǎn)權組合為基礎，肩負起全新使命，即助力增強村田在提供世界一流的高性能射頻、模擬、混合信號和光學解決方案方面的能力。憑借在射頻集成（RF）方面的堅實基礎，pSemi的產(chǎn)品組合目前涵蓋電源管理、互聯(lián)傳感器、天線調諧和射頻前端等領域。這些智能和高效半導體產(chǎn)品為用于智能手機、基站、個人計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設備和醫(yī)療保健等領域的先進模塊提供支持。pSemi總部位于圣迭戈，辦事處遍布全球各地，公司團隊致力于探索以全新方式創(chuàng)造更小、更薄、更快、更好的電子元件，從而為實現(xiàn)互聯(lián)世界提供支持。欲了解pSemi在半導體技術領域的進展或加入pSemi團隊，敬請訪問www.psemi.com。