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貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

2021-08-23 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo® QPD0011高電子遷移率晶體管(HEMT)。此碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異,可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。

貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器,采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓,以及高達(dá)13.3 dB的增益,并能在Doherty設(shè)計(jì)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高達(dá)90 W的超高效信號峰值功率。

為了便于開發(fā),Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個(gè)示例應(yīng)用電路,在與現(xiàn)有設(shè)計(jì)結(jié)合使用時(shí)可加快原型設(shè)計(jì)速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對稱Doherty設(shè)計(jì)等應(yīng)用。

如需進(jìn)一步了解QPD0011 GaN-on-SiC HEMT,敬請?jiān)L問https://www.mouser.cn/new/qorvo/qorvo-qpd0011-48v-gan-sic-hemt/。

作為全球授權(quán)分銷商,貿(mào)澤電子庫存有豐富的半導(dǎo)體和電子元器件,并積極引入原廠新品,支持隨時(shí)發(fā)貨。貿(mào)澤旨在為客戶供應(yīng)全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品,并提供全方位的制造商可追溯性。為幫助客戶加速設(shè)計(jì),貿(mào)澤網(wǎng)站提供了豐富的技術(shù)資源庫,包括技術(shù)資源中心、產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息、設(shè)計(jì)工具以及其他有用的信息。

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