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德州儀器推出新型即用型600V氮化鎵場效應晶體管功率級產品組合

2018-11-05 來源:微波射頻網 字號:

TI 新品可支持高達10kW的應用,借2000萬小時的器件可靠性測試,
帶集成驅動和保護功能的高壓GaN FET在工業和電信應用中將功率密度提高了一倍

德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN),50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比,LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。

新型德州儀器即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用

新型德州儀器即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用

德州儀器的GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現簡化設計,達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能,為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電流限制和過溫檢測,器件可防止意外的直通事件并防止熱失控,同時系統接口信號可實現自我監控功能。

LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和優勢

· 更小、更有效的解決方案:與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)相比,德州儀器的集成GaN功率級可將功率密度提高一倍,并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的1MHz開關頻率和高達100V/ns的壓擺率。

· 系統可靠性:本產品組合接受了2000萬小時的設備可靠性測試,包括加速和應用內硬開關測試。此外,每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護,以防止直通和短路情況。

· 每個功率級的設備:50mΩ或70mΩ條件下,本產品組合中的每個器件均提供一個GaN FET、驅動器并提供保護功能,可為低于100W至10kW的應用提供單芯片解決方案。

在德國慕尼黑電子展electronica訪問德州儀器

德州儀器(TI)將在德國慕尼黑電子展(2018年11月13日至16日)的C4展廳-131展位展示一個10kW的云網格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯合開發的有源演示采用德州儀器的LMG3410R050 600V GaN FET,具有集成驅動器和保護功能,與傳統的硅設計相比,幫助工程師實現99%的效率,功率元件尺寸可減少30%。

封裝和供貨

這些器件均采用8mm×8mm分割墊、方形扁平無引腳(QFN)封裝,現可從TI商店處購買。

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