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格芯宣布推出45nm射頻SOI技術來推動5G移動通信

2017-02-28 來源:微波射頻網 字號:

優化后的射頻特色功能為5G智能手機及基站毫波的波束賦形提供高性能方案

近日,格芯宣布了其45納米射頻SOI(45RFSOI)產品的正式投放,使得格芯成為第一家為未來5G基站與智能手機,以及下一代毫米波波束賦形提供300毫米射頻硅設計方案的晶圓制造商。

格芯的45RFSOI產品是公司最先進的射頻SOI技術。包括了厚銅層和增強LNA、交換器和功率放大器在射頻上性能的電介質,后端線(BEOL)特殊功能為波束賦形的前端模塊(FEM)特別優化了此項技術。SOI的本質特征結合射頻為核心的功能,為下一代射頻與毫米波應用提供了可能性,也為網絡寬帶近地(LEO)衛星和5G FEM推開了大門。

快速崛起的5G和毫米波市場將尋求在無線電技術、低功率集成毫米波無線電前端、天線相位陣列子系統以及高性能無線收發器方面的創新。正當原始設備制造商向自己的智能手機植入更多射頻功能的時候,新的高速網絡標準誕生了,最先進的設備儀器將為新運行模式提供更多的射頻電路支持。這包括了支持低延遲和高全方位有效輻射功率的芯片、支持全方位覆蓋和持續連接性強的高分辨率天線。

為獲取GHz下設備運行的先進的功率處理,45RFSOI利用了大于40歐姆-厘米的基底阻值來增加無源器件的品質因素,降低了寄生電容、最小化相位與電壓振幅的不一致。此技術支持24GHz到100GHz帶寬波譜下的毫米波操作,比4G操作頻率高5倍。

“Skyworks很高興能與格芯合作推動毫米波方案的創新。”Skyworks Solution.Inc首席技術官Peter Gammel說道,“以45RFSOI制程為例,格芯在先進晶圓制造廠技術上的領先優勢,使Skyworks可以為5G市場帶來革命性的射頻方案,同時也更加推動高度集成射頻前端在進化的毫米波應用中的使用。”

“5G有望在下一個十年能成為世界統治級的移動通訊標準,為移動、數十億字節數據傳輸率、安全、低延遲、網絡遍及性和高服務品質(QoS)樹立新的模范。”視頻業務部高級副總裁Bami Bastani說道,“利用長久的SOI領先技術和大批量制造優勢,我們對于發布最先進的射頻SOI技術非常興奮,這將在5G設備和網絡的崛起中扮演重要角色。”

格芯的45RFSOI技術利用了部分耗盡式SOI技術基礎,此技術從2008年始已投入大批量生產。先進的45RFSOI技術由位于紐約州東費什基爾的300毫米生產線制造,將為該行業內如此高速發展的市場提供足夠的空間。

制程設計工具(PDK)現已發售。客戶現可優化自己的芯片設計,開發獨特方案,并能追求5G射頻前端和毫米波相位陣列應用的高性能。

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